5.8,反应离子刻蚀机5,8.1.反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定。1，应通过调节四个地脚高度来调平承片台、2.应根据设备和环境要求，安装一般排风系统或酸碱排风系统、3。设备总电源应配置专用空气开关。接地线应可靠。4、刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统.水压应为0。2MPa 0，6MPa.水温应保持在16 28、水阻不应小于3MΩ，5.应安装工艺用气CF4。SF6.C4F和O2等气体管道、若厂房没有配置固定的管道气体 可采用罐装气体接入、6。射频电源功率可分别设置为1000W和500W、并应具有阻抗自动匹配功能。7。应根据气体性质安装气体泄漏报警装置.5.8 2 反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定，1 应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片、且应已有均匀的掩模窗口,2 应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位、水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水 并应确保其水位在,MAX，和、MIN.之间 3.应切断进气阀和保护阀。可用设备自带的真空系统对反应室抽真空 测试极限真空度应能达到气压不大于1,0，10 4Pa、用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1、0.10。6Pa,L，s.4,开机进入主界面时。应打开机械泵和分子泵、待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺，5,应将基片放到刻蚀腔室承片台上、应关闭腔室并设置好工艺气体流量、射频电源电压、刻蚀时间、进行刻蚀工艺 6 设备应具备光学发射光谱法终点检测系统、7.刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上,下 左，右.中五个点 应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度、片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为,3