5.8，反应离子刻蚀机5.8 1，反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定,1，应通过调节四个地脚高度来调平承片台.2。应根据设备和环境要求,安装一般排风系统或酸碱排风系统、3。设备总电源应配置专用空气开关 接地线应可靠 4.刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统。水压应为0、2MPa.0,6MPa。水温应保持在16,28,水阻不应小于3MΩ,5。应安装工艺用气CF4 SF6.C4F和O2等气体管道，若厂房没有配置固定的管道气体.可采用罐装气体接入、6，射频电源功率可分别设置为1000W和500W。并应具有阻抗自动匹配功能。7，应根据气体性质安装气体泄漏报警装置 5、8，2 反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定，1、应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片 且应已有均匀的掩模窗口。2,应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位.水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水，并应确保其水位在，MAX。和,MIN。之间，3，应切断进气阀和保护阀.可用设备自带的真空系统对反应室抽真空。测试极限真空度应能达到气压不大于1、0，10。4Pa，用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1，0，10 6Pa L、s、4、开机进入主界面时 应打开机械泵和分子泵、待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺，5、应将基片放到刻蚀腔室承片台上,应关闭腔室并设置好工艺气体流量。射频电源电压,刻蚀时间，进行刻蚀工艺。6 设备应具备光学发射光谱法终点检测系统,7,刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上,下.左、右、中五个点、应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度.片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为,3。