5、8，反应离子刻蚀机5,8、1 反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定 1,应通过调节四个地脚高度来调平承片台 2,应根据设备和环境要求、安装一般排风系统或酸碱排风系统，3、设备总电源应配置专用空气开关，接地线应可靠、4。刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统 水压应为0，2MPa 0。6MPa、水温应保持在16 28。水阻不应小于3MΩ 5。应安装工艺用气CF4.SF6,C4F和O2等气体管道.若厂房没有配置固定的管道气体,可采用罐装气体接入、6，射频电源功率可分别设置为1000W和500W，并应具有阻抗自动匹配功能。7、应根据气体性质安装气体泄漏报警装置、5、8，2,反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定、1.应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片。且应已有均匀的掩模窗口，2.应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位、水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水 并应确保其水位在 MAX。和 MIN.之间、3.应切断进气阀和保护阀 可用设备自带的真空系统对反应室抽真空。测试极限真空度应能达到气压不大于1.0 10。4Pa，用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1，0 10,6Pa L，s 4,开机进入主界面时、应打开机械泵和分子泵。待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺,5 应将基片放到刻蚀腔室承片台上、应关闭腔室并设置好工艺气体流量 射频电源电压 刻蚀时间、进行刻蚀工艺、6。设备应具备光学发射光谱法终点检测系统 7，刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上。下.左 右。中五个点，应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度。片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为 3。