5,8，反应离子刻蚀机5。8、1,反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定、1.应通过调节四个地脚高度来调平承片台 2，应根据设备和环境要求 安装一般排风系统或酸碱排风系统,3。设备总电源应配置专用空气开关。接地线应可靠，4、刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统，水压应为0，2MPa.0、6MPa。水温应保持在16.28、水阻不应小于3MΩ。5、应安装工艺用气CF4、SF6、C4F和O2等气体管道.若厂房没有配置固定的管道气体、可采用罐装气体接入。6、射频电源功率可分别设置为1000W和500W，并应具有阻抗自动匹配功能,7，应根据气体性质安装气体泄漏报警装置,5，8 2。反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定 1 应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片.且应已有均匀的掩模窗口.2 应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位.水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水、并应确保其水位在.MAX，和、MIN。之间，3。应切断进气阀和保护阀。可用设备自带的真空系统对反应室抽真空、测试极限真空度应能达到气压不大于1、0。10、4Pa，用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1,0.10 6Pa。L,s、4.开机进入主界面时、应打开机械泵和分子泵，待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺,5、应将基片放到刻蚀腔室承片台上。应关闭腔室并设置好工艺气体流量,射频电源电压 刻蚀时间,进行刻蚀工艺.6、设备应具备光学发射光谱法终点检测系统。7.刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上.下。左，右,中五个点，应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度,片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为，3。