5。8，反应离子刻蚀机5，8,1 反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定。1，应通过调节四个地脚高度来调平承片台，2、应根据设备和环境要求，安装一般排风系统或酸碱排风系统。3.设备总电源应配置专用空气开关、接地线应可靠.4 刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统,水压应为0。2MPa、0，6MPa,水温应保持在16。28。水阻不应小于3MΩ 5，应安装工艺用气CF4,SF6。C4F和O2等气体管道、若厂房没有配置固定的管道气体,可采用罐装气体接入 6，射频电源功率可分别设置为1000W和500W，并应具有阻抗自动匹配功能，7。应根据气体性质安装气体泄漏报警装置。5.8,2,反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定，1,应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片。且应已有均匀的掩模窗口 2,应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位.水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水,并应确保其水位在，MAX、和、MIN.之间.3 应切断进气阀和保护阀。可用设备自带的真空系统对反应室抽真空,测试极限真空度应能达到气压不大于1、0 10,4Pa 用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1，0 10 6Pa.L，s，4，开机进入主界面时，应打开机械泵和分子泵,待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺 5，应将基片放到刻蚀腔室承片台上，应关闭腔室并设置好工艺气体流量 射频电源电压 刻蚀时间,进行刻蚀工艺 6、设备应具备光学发射光谱法终点检测系统。7。刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上,下.左 右,中五个点，应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度，片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为。3.