5.8，反应离子刻蚀机5。8，1,反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定、1,应通过调节四个地脚高度来调平承片台,2，应根据设备和环境要求 安装一般排风系统或酸碱排风系统,3,设备总电源应配置专用空气开关,接地线应可靠。4。刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统、水压应为0、2MPa，0。6MPa 水温应保持在16,28.水阻不应小于3MΩ、5。应安装工艺用气CF4.SF6，C4F和O2等气体管道.若厂房没有配置固定的管道气体.可采用罐装气体接入。6。射频电源功率可分别设置为1000W和500W.并应具有阻抗自动匹配功能,7 应根据气体性质安装气体泄漏报警装置。5.8、2。反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定。1、应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片 且应已有均匀的掩模窗口 2 应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位、水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水,并应确保其水位在，MAX、和、MIN,之间，3、应切断进气阀和保护阀 可用设备自带的真空系统对反应室抽真空 测试极限真空度应能达到气压不大于1 0，10.4Pa 用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1.0,10、6Pa、L。s，4、开机进入主界面时,应打开机械泵和分子泵，待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺,5。应将基片放到刻蚀腔室承片台上、应关闭腔室并设置好工艺气体流量、射频电源电压，刻蚀时间，进行刻蚀工艺，6.设备应具备光学发射光谱法终点检测系统，7,刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上。下、左、右、中五个点 应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度.片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为，3,