5。8.反应离子刻蚀机5,8 1。反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定，1.应通过调节四个地脚高度来调平承片台,2 应根据设备和环境要求 安装一般排风系统或酸碱排风系统.3。设备总电源应配置专用空气开关,接地线应可靠,4,刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统。水压应为0.2MPa。0。6MPa.水温应保持在16。28 水阻不应小于3MΩ 5、应安装工艺用气CF4.SF6、C4F和O2等气体管道。若厂房没有配置固定的管道气体、可采用罐装气体接入、6,射频电源功率可分别设置为1000W和500W。并应具有阻抗自动匹配功能.7.应根据气体性质安装气体泄漏报警装置 5,8,2、反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定,1.应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片。且应已有均匀的掩模窗口.2.应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位.水位过低时可从水箱上方的注水口注入纯水,并应确保其水位在 MAX 和，MIN 之间 3.应切断进气阀和保护阀,可用设备自带的真空系统对反应室抽真空。测试极限真空度应能达到气压不大于1 0。10,4Pa。用氦质谱检漏仪检测反应室漏气率不应大于1、0。10。6Pa，L。s、4。开机进入主界面时、应打开机械泵和分子泵、待分子泵的速度达到满转后方可进行刻蚀工艺,5.应将基片放到刻蚀腔室承片台上,应关闭腔室并设置好工艺气体流量 射频电源电压,刻蚀时间，进行刻蚀工艺.6、设备应具备光学发射光谱法终点检测系统 7 刻蚀结束后应用膜厚测量仪测试基片的上.下，左 右 中五个点、应记录打开窗口中剩余聚酰亚胺的厚度。片内和片间的刻蚀厚度允许偏差应为，3