、9,4,防，静 电，9，4、1、硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区,9。4。2 防静电工作区的地面和墙面。柱面应采用导静电型材料，导静电型地面 墙面.柱面的表面电阻。对地电阻应为2。5。104Ω 1、106Ω。摩擦起电电压不应大于100V,静电半衰期不应大于0,1s。9 4、3.防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品.并应根据生产工艺的需要设置静电消除器。防静电安全工作台,9、4、4，防静电环境的门窗选择应符合下列要求.1,应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面 2.金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层、并应接地。3。室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时 其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层，9，4、5、防静电环境的净化空调系统送风口和风管，应选用导电材料制作.并应接地，9 4,6,防静电环境的净化空调系统，各种配管使用部分绝缘性材质时。应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地 当使用导电性橡胶软管时、应在软管上安装与其紧密结合的金属导体,并应用接地引线与其可靠接地。9、4，7、生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面。门窗,吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接 导静电地面。防静电活动地板.工作台面。座椅等应做防静电接地、9、4、8、生产厂房防静电接地设计及其他要求.应按现行国家标准，电子工程防静电设计规范 GB.50611的有关规定执行、