、9。4，防、静，电。9.4.1。硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区.9。4。2。防静电工作区的地面和墙面。柱面应采用导静电型材料、导静电型地面.墙面.柱面的表面电阻，对地电阻应为2、5，104Ω。1、106Ω 摩擦起电电压不应大于100V，静电半衰期不应大于0。1s。9。4 3，防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品，并应根据生产工艺的需要设置静电消除器。防静电安全工作台，9,4.4.防静电环境的门窗选择应符合下列要求 1，应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面.2。金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地、3.室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时.其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层,9 4 5。防静电环境的净化空调系统送风口和风管。应选用导电材料制作.并应接地。9。4.6，防静电环境的净化空调系统。各种配管使用部分绝缘性材质时,应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地 当使用导电性橡胶软管时。应在软管上安装与其紧密结合的金属导体,并应用接地引线与其可靠接地.9,4 7.生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面。门窗、吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接，导静电地面 防静电活动地板。工作台面、座椅等应做防静电接地.9 4。8,生产厂房防静电接地设计及其他要求,应按现行国家标准。电子工程防静电设计规范.GB.50611的有关规定执行。