，9、4,防，静 电。9、4,1 硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区，9、4.2.防静电工作区的地面和墙面。柱面应采用导静电型材料，导静电型地面 墙面。柱面的表面电阻 对地电阻应为2，5。104Ω、1，106Ω.摩擦起电电压不应大于100V 静电半衰期不应大于0,1s.9、4 3 防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品 并应根据生产工艺的需要设置静电消除器，防静电安全工作台，9,4,4 防静电环境的门窗选择应符合下列要求.1、应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面.2，金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层。并应接地。3,室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时 其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层、9，4。5 防静电环境的净化空调系统送风口和风管,应选用导电材料制作。并应接地 9，4 6，防静电环境的净化空调系统,各种配管使用部分绝缘性材质时,应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地,当使用导电性橡胶软管时。应在软管上安装与其紧密结合的金属导体,并应用接地引线与其可靠接地。9，4.7、生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面,门窗 吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接,导静电地面。防静电活动地板，工作台面.座椅等应做防静电接地。9 4。8.生产厂房防静电接地设计及其他要求.应按现行国家标准。电子工程防静电设计规范 GB、50611的有关规定执行，