.9，4.防，静，电。9、4 1 硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区、9，4、2，防静电工作区的地面和墙面.柱面应采用导静电型材料 导静电型地面 墙面、柱面的表面电阻。对地电阻应为2、5，104Ω，1。106Ω、摩擦起电电压不应大于100V,静电半衰期不应大于0.1s,9，4,3,防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品.并应根据生产工艺的需要设置静电消除器、防静电安全工作台、9、4、4.防静电环境的门窗选择应符合下列要求，1、应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面,2。金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地 3，室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时。其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层，9 4。5 防静电环境的净化空调系统送风口和风管.应选用导电材料制作、并应接地.9 4。6,防静电环境的净化空调系统，各种配管使用部分绝缘性材质时。应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地，当使用导电性橡胶软管时.应在软管上安装与其紧密结合的金属导体.并应用接地引线与其可靠接地 9，4 7、生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗，吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接,导静电地面.防静电活动地板 工作台面.座椅等应做防静电接地 9，4,8.生产厂房防静电接地设计及其他要求 应按现行国家标准，电子工程防静电设计规范.GB,50611的有关规定执行