,9,4 防。静,电,9，4。1，硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区,9.4，2.防静电工作区的地面和墙面 柱面应采用导静电型材料、导静电型地面，墙面、柱面的表面电阻，对地电阻应为2、5、104Ω、1、106Ω.摩擦起电电压不应大于100V。静电半衰期不应大于0，1s 9、4 3、防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品。并应根据生产工艺的需要设置静电消除器。防静电安全工作台.9，4 4,防静电环境的门窗选择应符合下列要求、1、应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面 2，金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层.并应接地.3.室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时 其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层 9.4。5，防静电环境的净化空调系统送风口和风管，应选用导电材料制作,并应接地、9.4。6，防静电环境的净化空调系统 各种配管使用部分绝缘性材质时。应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地。当使用导电性橡胶软管时.应在软管上安装与其紧密结合的金属导体、并应用接地引线与其可靠接地、9,4。7，生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面，门窗,吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接 导静电地面,防静电活动地板 工作台面、座椅等应做防静电接地、9 4.8 生产厂房防静电接地设计及其他要求,应按现行国家标准。电子工程防静电设计规范。GB。50611的有关规定执行