.9 4.防，静。电，9 4、1.硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区、9 4.2，防静电工作区的地面和墙面 柱面应采用导静电型材料.导静电型地面。墙面、柱面的表面电阻,对地电阻应为2.5,104Ω。1、106Ω,摩擦起电电压不应大于100V,静电半衰期不应大于0、1s 9、4。3。防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品 并应根据生产工艺的需要设置静电消除器,防静电安全工作台。9.4。4，防静电环境的门窗选择应符合下列要求 1 应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面.2,金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层，并应接地 3，室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时 其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层.9，4，5 防静电环境的净化空调系统送风口和风管 应选用导电材料制作，并应接地,9 4 6。防静电环境的净化空调系统 各种配管使用部分绝缘性材质时 应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地、当使用导电性橡胶软管时、应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并应用接地引线与其可靠接地、9，4.7、生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面.门窗、吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接.导静电地面、防静电活动地板,工作台面,座椅等应做防静电接地，9.4。8。生产厂房防静电接地设计及其他要求,应按现行国家标准。电子工程防静电设计规范,GB、50611的有关规定执行