。9，4.防,静，电 9,4、1。硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区 9,4，2.防静电工作区的地面和墙面 柱面应采用导静电型材料、导静电型地面。墙面,柱面的表面电阻，对地电阻应为2 5 104Ω.1.106Ω,摩擦起电电压不应大于100V、静电半衰期不应大于0、1s,9、4。3。防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品 并应根据生产工艺的需要设置静电消除器。防静电安全工作台,9，4.4，防静电环境的门窗选择应符合下列要求 1.应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面、2、金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层.并应接地，3。室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时.其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层 9 4。5、防静电环境的净化空调系统送风口和风管。应选用导电材料制作.并应接地.9.4.6 防静电环境的净化空调系统.各种配管使用部分绝缘性材质时.应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地、当使用导电性橡胶软管时，应在软管上安装与其紧密结合的金属导体 并应用接地引线与其可靠接地，9。4,7 生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面.门窗，吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接、导静电地面 防静电活动地板 工作台面 座椅等应做防静电接地，9、4、8，生产厂房防静电接地设计及其他要求.应按现行国家标准，电子工程防静电设计规范，GB。50611的有关规定执行