。9、4,防.静 电,9,4.1 硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区,9、4 2、防静电工作区的地面和墙面，柱面应采用导静电型材料.导静电型地面，墙面。柱面的表面电阻，对地电阻应为2.5。104Ω.1.106Ω.摩擦起电电压不应大于100V、静电半衰期不应大于0。1s.9、4,3 防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品.并应根据生产工艺的需要设置静电消除器，防静电安全工作台 9 4 4，防静电环境的门窗选择应符合下列要求.1 应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面、2 金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层 并应接地。3 室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时.其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层.9、4。5,防静电环境的净化空调系统送风口和风管 应选用导电材料制作。并应接地.9 4。6.防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材质时 应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地.当使用导电性橡胶软管时。应在软管上安装与其紧密结合的金属导体，并应用接地引线与其可靠接地。9，4。7,生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗。吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接、导静电地面 防静电活动地板 工作台面、座椅等应做防静电接地 9 4，8.生产厂房防静电接地设计及其他要求.应按现行国家标准、电子工程防静电设计规范,GB、50611的有关规定执行