9、4。防.静,电.9。4，1,硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区 9、4.2，防静电工作区的地面和墙面、柱面应采用导静电型材料,导静电型地面。墙面.柱面的表面电阻,对地电阻应为2，5。104Ω。1。106Ω,摩擦起电电压不应大于100V。静电半衰期不应大于0、1s、9、4.3。防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品.并应根据生产工艺的需要设置静电消除器，防静电安全工作台、9，4 4 防静电环境的门窗选择应符合下列要求、1。应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面 2。金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层。并应接地 3.室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时。其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层、9 4、5,防静电环境的净化空调系统送风口和风管,应选用导电材料制作、并应接地.9 4,6.防静电环境的净化空调系统、各种配管使用部分绝缘性材质时，应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地.当使用导电性橡胶软管时、应在软管上安装与其紧密结合的金属导体,并应用接地引线与其可靠接地、9，4、7、生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面。门窗，吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接.导静电地面,防静电活动地板。工作台面.座椅等应做防静电接地 9。4 8、生产厂房防静电接地设计及其他要求、应按现行国家标准。电子工程防静电设计规范。GB.50611的有关规定执行