9 4、防。静、电 9、4，1，硅集成电路芯片厂房生产区应为一级防静电工作区 9.4.2 防静电工作区的地面和墙面。柱面应采用导静电型材料。导静电型地面,墙面 柱面的表面电阻,对地电阻应为2.5 104Ω，1。106Ω,摩擦起电电压不应大于100V,静电半衰期不应大于0.1s,9 4,3、防静电工作区内不得选用短效型静电材料及制品。并应根据生产工艺的需要设置静电消除器。防静电安全工作台，9,4,4,防静电环境的门窗选择应符合下列要求、1.应选用静电耗散材料制作门窗或采用静电耗散型材料贴面,2。金属门窗表面应涂刷静电耗散型涂层.并应接地。3，室内隔断和观察窗安装大面积玻璃时，其表面应粘贴静电耗散型透明薄膜或喷涂静电耗散型涂层.9.4。5.防静电环境的净化空调系统送风口和风管 应选用导电材料制作，并应接地，9、4 6,防静电环境的净化空调系统,各种配管使用部分绝缘性材质时.应在其表面安装紧密结合的金属网并将其接地.当使用导电性橡胶软管时 应在软管上安装与其紧密结合的金属导体、并应用接地引线与其可靠接地、9.4 7.生产厂房内金属物体包括洁净室的墙面、门窗。吊顶的金属骨架应与接地系统做可靠连接、导静电地面。防静电活动地板.工作台面、座椅等应做防静电接地,9.4.8、生产厂房防静电接地设计及其他要求 应按现行国家标准,电子工程防静电设计规范、GB 50611的有关规定执行、