5、6 硅芯制备及多晶硅产品后处理5、6 1，硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法,工艺路线选择应根据硅芯生产规模,能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定，5。6 2，采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽 5。6.3,硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5,6.4。多晶硅后处理应包括产品运输。破碎.分拣，包装，腐蚀清洗等工序。其中运输.破碎.分拣、包装工序应符合下列规定。1.硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径，中间仓库位置及厂房工艺布置确定.并应靠近还原车间。2、硅棒运输车内衬板宜采用耐磨。不吸尘的非金属材料 3。硅棒破碎方式应根据生产规模 物料性能和产品粒度确定、可采用人工破碎或机械破碎 4.破碎工具与产品接触部分,应选用硬度大和强度高的材料.5 破碎系统应设置除尘装置、6 破碎粒度应符合现行国家标准。硅多晶。GB，T。12963和 太阳能级多晶硅,GB T 25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求、7。破碎.分拣，包装应设置在洁净区内、5、6，5，腐蚀清洗工序应符合下列规定,1、腐蚀清洗应设置在洁净区内、2，腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口。并应与人员出入口分开。3,供酸室应与腐蚀清洗室分开布置、供酸室应布置在便于酸桶运输的地方 并应采取防护措施、4。腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风.废气应处理达标后再排放、5,输送强酸的管道应采用双层套管 外层宜采用透明聚氯乙烯，PVC.管。