5,6、硅芯制备及多晶硅产品后处理5、6、1。硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法.工艺路线选择应根据硅芯生产规模 能源价格等情况。经技术经济分析比较后确定.5、6 2，采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽,5 6.3 硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5 6，4。多晶硅后处理应包括产品运输。破碎。分拣 包装、腐蚀清洗等工序。其中运输.破碎.分拣 包装工序应符合下列规定，1.硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定。并应靠近还原车间.2、硅棒运输车内衬板宜采用耐磨.不吸尘的非金属材料,3.硅棒破碎方式应根据生产规模、物料性能和产品粒度确定，可采用人工破碎或机械破碎,4.破碎工具与产品接触部分，应选用硬度大和强度高的材料.5。破碎系统应设置除尘装置，6，破碎粒度应符合现行国家标准,硅多晶、GB，T,12963和、太阳能级多晶硅 GB，T,25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求、7、破碎、分拣 包装应设置在洁净区内，5、6,5 腐蚀清洗工序应符合下列规定 1 腐蚀清洗应设置在洁净区内,2.腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口 并应与人员出入口分开，3。供酸室应与腐蚀清洗室分开布置.供酸室应布置在便于酸桶运输的地方，并应采取防护措施、4，腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风。废气应处理达标后再排放、5、输送强酸的管道应采用双层套管.外层宜采用透明聚氯乙烯、PVC。管、