5。6，硅芯制备及多晶硅产品后处理5。6、1、硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法 工艺路线选择应根据硅芯生产规模.能源价格等情况 经技术经济分析比较后确定、5,6.2,采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽 5 6、3。硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5，6 4。多晶硅后处理应包括产品运输。破碎，分拣、包装。腐蚀清洗等工序.其中运输，破碎。分拣,包装工序应符合下列规定,1.硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径 中间仓库位置及厂房工艺布置确定.并应靠近还原车间 2，硅棒运输车内衬板宜采用耐磨 不吸尘的非金属材料.3 硅棒破碎方式应根据生产规模.物料性能和产品粒度确定。可采用人工破碎或机械破碎.4 破碎工具与产品接触部分.应选用硬度大和强度高的材料 5、破碎系统应设置除尘装置.6。破碎粒度应符合现行国家标准.硅多晶 GB。T 12963和，太阳能级多晶硅.GB、T，25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求,7、破碎、分拣,包装应设置在洁净区内。5，6、5.腐蚀清洗工序应符合下列规定、1。腐蚀清洗应设置在洁净区内,2 腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口。并应与人员出入口分开，3,供酸室应与腐蚀清洗室分开布置,供酸室应布置在便于酸桶运输的地方。并应采取防护措施,4,腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风。废气应处理达标后再排放。5.输送强酸的管道应采用双层套管.外层宜采用透明聚氯乙烯,PVC、管，