5、6,硅芯制备及多晶硅产品后处理5.6.1 硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法 工艺路线选择应根据硅芯生产规模 能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定.5，6 2。采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽、5,6,3 硅芯制备的房间应设置在洁净区内 5,6.4、多晶硅后处理应包括产品运输。破碎。分拣。包装 腐蚀清洗等工序。其中运输 破碎,分拣,包装工序应符合下列规定 1。硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定,并应靠近还原车间，2.硅棒运输车内衬板宜采用耐磨、不吸尘的非金属材料.3。硅棒破碎方式应根据生产规模、物料性能和产品粒度确定、可采用人工破碎或机械破碎，4,破碎工具与产品接触部分 应选用硬度大和强度高的材料。5。破碎系统应设置除尘装置，6。破碎粒度应符合现行国家标准.硅多晶,GB.T,12963和,太阳能级多晶硅.GB、T 25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求.7，破碎 分拣.包装应设置在洁净区内。5,6 5、腐蚀清洗工序应符合下列规定.1。腐蚀清洗应设置在洁净区内、2、腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口 并应与人员出入口分开。3。供酸室应与腐蚀清洗室分开布置.供酸室应布置在便于酸桶运输的地方、并应采取防护措施。4。腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风。废气应处理达标后再排放、5，输送强酸的管道应采用双层套管 外层宜采用透明聚氯乙烯 PVC.管,