5，6、硅芯制备及多晶硅产品后处理5.6，1，硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法 工艺路线选择应根据硅芯生产规模,能源价格等情况 经技术经济分析比较后确定。5,6 2 采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽。5、6,3，硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5,6、4 多晶硅后处理应包括产品运输。破碎。分拣、包装，腐蚀清洗等工序.其中运输、破碎.分拣 包装工序应符合下列规定、1 硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径，中间仓库位置及厂房工艺布置确定、并应靠近还原车间、2.硅棒运输车内衬板宜采用耐磨.不吸尘的非金属材料、3,硅棒破碎方式应根据生产规模.物料性能和产品粒度确定。可采用人工破碎或机械破碎 4.破碎工具与产品接触部分 应选用硬度大和强度高的材料 5.破碎系统应设置除尘装置.6。破碎粒度应符合现行国家标准，硅多晶,GB T.12963和、太阳能级多晶硅，GB.T、25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求，7,破碎,分拣,包装应设置在洁净区内、5.6，5。腐蚀清洗工序应符合下列规定。1。腐蚀清洗应设置在洁净区内.2。腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口,并应与人员出入口分开、3。供酸室应与腐蚀清洗室分开布置。供酸室应布置在便于酸桶运输的地方。并应采取防护措施 4 腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风 废气应处理达标后再排放，5。输送强酸的管道应采用双层套管。外层宜采用透明聚氯乙烯,PVC、管，