5、6,硅芯制备及多晶硅产品后处理5 6 1,硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法。工艺路线选择应根据硅芯生产规模.能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定,5。6、2、采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽，5、6、3，硅芯制备的房间应设置在洁净区内,5 6 4，多晶硅后处理应包括产品运输、破碎。分拣、包装、腐蚀清洗等工序、其中运输，破碎 分拣 包装工序应符合下列规定。1、硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径.中间仓库位置及厂房工艺布置确定，并应靠近还原车间,2 硅棒运输车内衬板宜采用耐磨 不吸尘的非金属材料。3、硅棒破碎方式应根据生产规模 物料性能和产品粒度确定、可采用人工破碎或机械破碎.4 破碎工具与产品接触部分、应选用硬度大和强度高的材料、5.破碎系统应设置除尘装置,6,破碎粒度应符合现行国家标准。硅多晶、GB,T.12963和。太阳能级多晶硅。GB.T,25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求，7，破碎，分拣。包装应设置在洁净区内。5、6，5、腐蚀清洗工序应符合下列规定。1。腐蚀清洗应设置在洁净区内.2，腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口.并应与人员出入口分开.3、供酸室应与腐蚀清洗室分开布置，供酸室应布置在便于酸桶运输的地方.并应采取防护措施,4。腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风。废气应处理达标后再排放.5 输送强酸的管道应采用双层套管.外层宜采用透明聚氯乙烯。PVC.管.