5、6。硅芯制备及多晶硅产品后处理5.6.1、硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法、工艺路线选择应根据硅芯生产规模。能源价格等情况.经技术经济分析比较后确定，5。6,2 采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽 5。6 3.硅芯制备的房间应设置在洁净区内、5 6 4。多晶硅后处理应包括产品运输 破碎。分拣 包装,腐蚀清洗等工序,其中运输、破碎,分拣.包装工序应符合下列规定 1,硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径，中间仓库位置及厂房工艺布置确定。并应靠近还原车间。2。硅棒运输车内衬板宜采用耐磨。不吸尘的非金属材料 3，硅棒破碎方式应根据生产规模 物料性能和产品粒度确定.可采用人工破碎或机械破碎、4、破碎工具与产品接触部分、应选用硬度大和强度高的材料.5、破碎系统应设置除尘装置、6.破碎粒度应符合现行国家标准。硅多晶，GB。T。12963和、太阳能级多晶硅 GB.T,25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求,7，破碎。分拣.包装应设置在洁净区内.5 6.5、腐蚀清洗工序应符合下列规定.1，腐蚀清洗应设置在洁净区内、2 腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口.并应与人员出入口分开.3,供酸室应与腐蚀清洗室分开布置 供酸室应布置在便于酸桶运输的地方,并应采取防护措施、4。腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风,废气应处理达标后再排放.5,输送强酸的管道应采用双层套管、外层宜采用透明聚氯乙烯。PVC，管，