5.6,硅芯制备及多晶硅产品后处理5、6,1,硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法，工艺路线选择应根据硅芯生产规模。能源价格等情况,经技术经济分析比较后确定，5、6,2、采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽,5,6.3、硅芯制备的房间应设置在洁净区内、5，6。4。多晶硅后处理应包括产品运输.破碎、分拣.包装 腐蚀清洗等工序、其中运输,破碎，分拣、包装工序应符合下列规定 1.硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径，中间仓库位置及厂房工艺布置确定。并应靠近还原车间,2,硅棒运输车内衬板宜采用耐磨,不吸尘的非金属材料。3,硅棒破碎方式应根据生产规模.物料性能和产品粒度确定、可采用人工破碎或机械破碎。4,破碎工具与产品接触部分 应选用硬度大和强度高的材料，5.破碎系统应设置除尘装置，6.破碎粒度应符合现行国家标准、硅多晶。GB.T.12963和,太阳能级多晶硅 GB。T.25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求.7、破碎，分拣、包装应设置在洁净区内。5 6,5.腐蚀清洗工序应符合下列规定,1 腐蚀清洗应设置在洁净区内。2、腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口、并应与人员出入口分开,3 供酸室应与腐蚀清洗室分开布置。供酸室应布置在便于酸桶运输的地方.并应采取防护措施,4、腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风,废气应处理达标后再排放。5.输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯,PVC，管,