5,6。硅芯制备及多晶硅产品后处理5.6 1,硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法、工艺路线选择应根据硅芯生产规模、能源价格等情况。经技术经济分析比较后确定 5.6,2,采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽,5，6、3、硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5。6.4，多晶硅后处理应包括产品运输,破碎 分拣，包装 腐蚀清洗等工序,其中运输、破碎.分拣,包装工序应符合下列规定，1。硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定、并应靠近还原车间.2。硅棒运输车内衬板宜采用耐磨，不吸尘的非金属材料、3.硅棒破碎方式应根据生产规模，物料性能和产品粒度确定，可采用人工破碎或机械破碎、4.破碎工具与产品接触部分、应选用硬度大和强度高的材料，5、破碎系统应设置除尘装置,6、破碎粒度应符合现行国家标准、硅多晶，GB，T.12963和,太阳能级多晶硅 GB。T 25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求 7,破碎 分拣.包装应设置在洁净区内、5，6,5.腐蚀清洗工序应符合下列规定 1、腐蚀清洗应设置在洁净区内、2。腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口.并应与人员出入口分开、3,供酸室应与腐蚀清洗室分开布置 供酸室应布置在便于酸桶运输的地方。并应采取防护措施,4、腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风、废气应处理达标后再排放、5，输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯、PVC、管。