5、6.硅芯制备及多晶硅产品后处理5 6,1.硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法,工艺路线选择应根据硅芯生产规模.能源价格等情况,经技术经济分析比较后确定 5 6 2、采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽 5 6。3.硅芯制备的房间应设置在洁净区内。5,6。4 多晶硅后处理应包括产品运输.破碎 分拣 包装，腐蚀清洗等工序、其中运输。破碎，分拣,包装工序应符合下列规定、1.硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径,中间仓库位置及厂房工艺布置确定 并应靠近还原车间.2。硅棒运输车内衬板宜采用耐磨、不吸尘的非金属材料、3，硅棒破碎方式应根据生产规模,物料性能和产品粒度确定。可采用人工破碎或机械破碎、4 破碎工具与产品接触部分.应选用硬度大和强度高的材料。5 破碎系统应设置除尘装置 6,破碎粒度应符合现行国家标准。硅多晶.GB,T、12963和、太阳能级多晶硅,GB、T。25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求，7 破碎.分拣，包装应设置在洁净区内，5。6、5.腐蚀清洗工序应符合下列规定。1。腐蚀清洗应设置在洁净区内、2 腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口,并应与人员出入口分开.3,供酸室应与腐蚀清洗室分开布置，供酸室应布置在便于酸桶运输的地方。并应采取防护措施,4、腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风.废气应处理达标后再排放 5 输送强酸的管道应采用双层套管.外层宜采用透明聚氯乙烯 PVC.管、