5 6，硅芯制备及多晶硅产品后处理5、6.1,硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法,工艺路线选择应根据硅芯生产规模,能源价格等情况,经技术经济分析比较后确定、5，6，2,采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽，5、6。3、硅芯制备的房间应设置在洁净区内、5,6,4。多晶硅后处理应包括产品运输。破碎。分拣，包装,腐蚀清洗等工序、其中运输，破碎，分拣。包装工序应符合下列规定、1，硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定.并应靠近还原车间。2,硅棒运输车内衬板宜采用耐磨，不吸尘的非金属材料 3。硅棒破碎方式应根据生产规模 物料性能和产品粒度确定，可采用人工破碎或机械破碎，4，破碎工具与产品接触部分，应选用硬度大和强度高的材料。5.破碎系统应设置除尘装置,6.破碎粒度应符合现行国家标准,硅多晶。GB。T，12963和、太阳能级多晶硅、GB。T，25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求 7.破碎 分拣.包装应设置在洁净区内、5.6、5、腐蚀清洗工序应符合下列规定。1。腐蚀清洗应设置在洁净区内.2 腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口 并应与人员出入口分开，3，供酸室应与腐蚀清洗室分开布置，供酸室应布置在便于酸桶运输的地方，并应采取防护措施、4、腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风、废气应处理达标后再排放、5、输送强酸的管道应采用双层套管 外层宜采用透明聚氯乙烯 PVC,管,