5,6。硅芯制备及多晶硅产品后处理5,6、1 硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法，工艺路线选择应根据硅芯生产规模 能源价格等情况 经技术经济分析比较后确定。5，6。2。采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽 5.6 3。硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5、6、4，多晶硅后处理应包括产品运输、破碎。分拣。包装 腐蚀清洗等工序 其中运输 破碎.分拣，包装工序应符合下列规定,1、硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径.中间仓库位置及厂房工艺布置确定 并应靠近还原车间。2 硅棒运输车内衬板宜采用耐磨,不吸尘的非金属材料、3 硅棒破碎方式应根据生产规模、物料性能和产品粒度确定 可采用人工破碎或机械破碎.4，破碎工具与产品接触部分,应选用硬度大和强度高的材料、5.破碎系统应设置除尘装置,6。破碎粒度应符合现行国家标准 硅多晶。GB.T、12963和，太阳能级多晶硅.GB、T，25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求、7、破碎 分拣,包装应设置在洁净区内、5 6、5，腐蚀清洗工序应符合下列规定 1.腐蚀清洗应设置在洁净区内 2。腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口 并应与人员出入口分开,3.供酸室应与腐蚀清洗室分开布置。供酸室应布置在便于酸桶运输的地方，并应采取防护措施 4 腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风,废气应处理达标后再排放 5、输送强酸的管道应采用双层套管.外层宜采用透明聚氯乙烯、PVC 管、