5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理5。6 1 硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法，工艺路线选择应根据硅芯生产规模。能源价格等情况、经技术经济分析比较后确定.5 6.2,采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽，5,6 3，硅芯制备的房间应设置在洁净区内.5,6 4、多晶硅后处理应包括产品运输，破碎,分拣.包装 腐蚀清洗等工序 其中运输。破碎 分拣、包装工序应符合下列规定、1 硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径 中间仓库位置及厂房工艺布置确定,并应靠近还原车间,2、硅棒运输车内衬板宜采用耐磨.不吸尘的非金属材料、3、硅棒破碎方式应根据生产规模。物料性能和产品粒度确定.可采用人工破碎或机械破碎.4，破碎工具与产品接触部分，应选用硬度大和强度高的材料。5。破碎系统应设置除尘装置、6 破碎粒度应符合现行国家标准，硅多晶。GB、T。12963和 太阳能级多晶硅.GB。T。25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求、7，破碎，分拣，包装应设置在洁净区内,5.6，5.腐蚀清洗工序应符合下列规定,1.腐蚀清洗应设置在洁净区内,2，腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口 并应与人员出入口分开、3，供酸室应与腐蚀清洗室分开布置,供酸室应布置在便于酸桶运输的地方、并应采取防护措施，4，腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风，废气应处理达标后再排放，5,输送强酸的管道应采用双层套管 外层宜采用透明聚氯乙烯。PVC。管