5 6.硅芯制备及多晶硅产品后处理5，6，1、硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法、工艺路线选择应根据硅芯生产规模,能源价格等情况，经技术经济分析比较后确定.5、6 2。采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽、5、6.3 硅芯制备的房间应设置在洁净区内,5 6，4，多晶硅后处理应包括产品运输。破碎,分拣,包装 腐蚀清洗等工序。其中运输，破碎，分拣。包装工序应符合下列规定 1、硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径，中间仓库位置及厂房工艺布置确定 并应靠近还原车间,2 硅棒运输车内衬板宜采用耐磨。不吸尘的非金属材料。3.硅棒破碎方式应根据生产规模，物料性能和产品粒度确定 可采用人工破碎或机械破碎.4,破碎工具与产品接触部分、应选用硬度大和强度高的材料.5、破碎系统应设置除尘装置，6。破碎粒度应符合现行国家标准 硅多晶。GB，T.12963和.太阳能级多晶硅,GB，T,25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求，7 破碎，分拣.包装应设置在洁净区内,5。6。5、腐蚀清洗工序应符合下列规定，1、腐蚀清洗应设置在洁净区内。2,腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口。并应与人员出入口分开、3.供酸室应与腐蚀清洗室分开布置。供酸室应布置在便于酸桶运输的地方。并应采取防护措施.4 腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风、废气应处理达标后再排放，5.输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯，PVC.管,