5 6.硅芯制备及多晶硅产品后处理5，6、1。硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法。工艺路线选择应根据硅芯生产规模,能源价格等情况.经技术经济分析比较后确定 5.6 2，采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽、5。6,3、硅芯制备的房间应设置在洁净区内 5，6,4，多晶硅后处理应包括产品运输。破碎 分拣、包装,腐蚀清洗等工序、其中运输,破碎、分拣,包装工序应符合下列规定。1。硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径、中间仓库位置及厂房工艺布置确定。并应靠近还原车间.2。硅棒运输车内衬板宜采用耐磨、不吸尘的非金属材料。3,硅棒破碎方式应根据生产规模 物料性能和产品粒度确定.可采用人工破碎或机械破碎，4,破碎工具与产品接触部分，应选用硬度大和强度高的材料，5。破碎系统应设置除尘装置,6、破碎粒度应符合现行国家标准 硅多晶,GB。T.12963和。太阳能级多晶硅.GB、T，25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求.7 破碎 分拣，包装应设置在洁净区内,5,6.5,腐蚀清洗工序应符合下列规定，1.腐蚀清洗应设置在洁净区内 2.腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口 并应与人员出入口分开.3.供酸室应与腐蚀清洗室分开布置 供酸室应布置在便于酸桶运输的地方.并应采取防护措施 4 腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风、废气应处理达标后再排放，5、输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯，PVC 管,