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- 多晶硅工厂设计规范 GB 51034-2014
- 条文说明
- 1 总 则
- 2 术 语
- 3 基本规定
- 4 厂址选择及厂区规划
- 5 工艺设计
- 5.1 一般规定
- 5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
- 5.3 氯硅烷提纯
- 5.4 三氯氢硅氢还原
- 5.3 氯硅烷提纯
- 5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理
- 5.7 分析检测
- 6 电气及自动化
- 7 辅助设施
- 8 建筑结构
- 9 给水、排水和消防
- 10 采暖、通风与空气调节
- 11 环境保护、安全和卫生
- 12 节能、余热回收
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5.3 氯硅烷提纯5,3,2 氯硅烷物料中三氯氢硅 四氯化硅。二氯二氢硅性质接近、特别适合差压耦合工艺 而且与其他常规精馏工艺相比.差压耦合工艺能有效降低能耗40，80.因此为了降低单位产品能源消耗 热量双效梯级使用。宜优先考虑采用差压耦合工艺 5.3，3 本条第4款的规定是为了防止耦合氯硅烷蒸气得不到完全冷凝 影响生产的正常运行、
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