8.5.防.腐。蚀8，5 1.多晶硅工厂的工艺装置泄漏的三氯氢硅.四氯化硅遇水或潮湿空气后会生成含硅酸，盐酸等具有强腐蚀性的物质。这些腐蚀性物质对厂房、装置框架的内部或外部的腐蚀较为严重，腐蚀程度一般达到中度.因此应采取有效的防腐蚀措施 表8.5,1列举了各装置 厂房的腐蚀性介质及腐蚀性分级供防腐设计参考，表中介质的腐蚀性主要对钢筋混凝土而言，8 5。2。本条规定了液态或气态腐蚀的防腐蚀设计原则及主要建筑构件的具体防腐处理方法。