16，半导体材料厂车间电力设计16,0,1.本章适用于半导体硅、锗和化合物材料生产厂的多晶，单晶及片加工生产车间电力设计，16.0.2，三氯氢硅合成炉和多晶硅氢还原炉的高压启动设备仅在启动时短时工作，可不参与负荷计算和无功功率补偿计算。16、0，3 三氯氢硅合成炉工频感应线圈的计算 宜采用实验曲线法 计算方法见本规范附录G.16 0,4，三氯氢硅合成,精馏提纯。四氯化硅氢化.氢还原及尾气回收装置等控制系统的电力设计、应与仪表专业统一考虑.使控制检测装置协调一致。电控及仪表监测设备应集中安装在同一控制室内、控制室应正压通风 16，0。5,多晶硅氢还原炉的高压启动设备或硅芯预热装置,常压供电设备和切换开关.可集中安装在同一电气室内，当采用充油式供电设备时。其防火要求应符合本规范第3.8节的有关规定,16。0，6,多晶硅氢还原炉电气室。应与多晶硅氢还原炉室相毗邻，两室之间严禁开设门窗及其他孔洞.电源线穿越墙和楼板的地方应进行严密封堵 与电气室无关的管道严禁通过电气室。必须通过时 应采取隔离措施，16 0 7,多晶硅氢还原炉的控制室与电气室之间、应设置便于联系的通道 16.0、8，多晶硅氢还原炉用硅芯生产时、在控制室.电气室和多晶硅氢还原炉室 均应设置声光信号,电气室应装设有电气联锁的安全门。门上应设标志灯、高压启动前应有报警信号并自动锁门、高压启动后自动解除。16,0，9,当单晶和多晶车间的主要用电设备为单相负荷时,供电变压器的中性线截面应与相线截面相同,供电变压器的接线组别、应采用D。yn11 16。0.10 每台单晶炉和区熔炉附近。均应设开关箱、箱内应设向主回路和控制回路供电的刀开关及一定数量的检修插座.16.0，11、单晶炉、区熔炉及物理测试仪表、应由同一台变压器供电,物测室的供电电源尚应采取稳压措施，16，0,12.高频区熔炉和外延生长炉 均应装设电源滤波器,并应符合下列规定，1,滤波器应安装在屏蔽室外墙上便于接线的地方,2。滤波器外壳接地和屏蔽室接地应共用一套接地装置。3，接地装置应采用镀锌铜板制作.其面积宜为1m2。2m2.厚度宜为5mm.4。镀锌铜板应立埋于地下、上端距地面不应小于2m，5。接地线的长度严禁小于1.4工作波长或1。4工作波长的奇数倍.16，0.13.未装设屏蔽设施的区熔室内.由滤波器至用电设备的线路,应进行屏蔽,16.0。14，每台区熔炉均应设置一个独立的槽路接地装置 该装置应设置在区熔炉的地下距槽路最近的地方.接地装置的形式和要求应符合本规范第16、0、12条第3款。第4款的规定.16。0 15，氢还原炉。单晶炉、区熔炉和外延炉,当冷却水断水时，应切断电源并应有信号显示.16、0.16,物测室的电源进线处 应装设电源滤波器。电源滤波器外壳与屏蔽室接地应共用一套接地装置 并一点接地，接地装置的形式和要求应符合本规范第16.0.12条第3款,第4款的规定 16、0 17，物测室的电力和照明电源.均应从滤波器后引接。物测室的照明光源宜采用白炽灯 16.0 18、穿越屏蔽室的电力.照明线路 在屏蔽室内均应采取屏蔽措施，线路的保护管或波导管在穿越处均应与屏蔽网、板。做环路连续焊接.16.0.19 单晶车间。区熔室，物测室及片加工生产的电力设计，除应符合本章规定外,尚应符合现行国家标准,洁净厂房设计规范、GB 50073的有关规定,