10,3.处理设备10 3，1 要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞 为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器 蒸发冷却塔需保温，10，3.2.袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系。在纯氧燃烧的熔炉系统中，要以1.8m,min为正常设计值、10.3,3，本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求。采用选择性非催化还原Selective Non.Catalytic Reduction，以下简写为SNCR技术。不使用催化剂。在850。1000、的温度范围内.将含氨基的还原剂,如氨水,尿素溶液等.喷入炉内、将烟气中的氮氧化物还原脱除。生成氮气和水，在合适的温度区域.且氨水和尿素作为还原剂时.其反应方程式为.1、NH3为还原剂、4NH3，4NO、O2 4N2.6H2O,NO2具有氧化性.和NH3反应生成H2O和N26NO2.8NH3.7N2。12H2O 2 尿素为还原剂.2NO,2CO。NH2。2，O2.3N2.2CO2。2H2O10.3、4。本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求 1。高效选择性非催化还原法.HESNCR 为SNCR的改进型，第二代的SNCR系统。有比SNCR更高的脱硝处理效果。HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器，首先常温预先雾化氨水溶液,然后高温气化并增压,气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内。使氨与烟气充分混合并接触反应.在炉膛800 1100。这一狭窄的温度范围内、在无催化剂作用下，氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物。基本上不与烟气中的氧反应、主要反应与SNCR相同、NH3.NOx.N2.H2O。HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度，氨和氮氧化物的化学计量比，混合程度，反应时间等 研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要 最佳反应温度是950,若温度过低,氨的反应不完全，容易造成氨泄漏。而温度过高,氨则容易被氧化为氮氧化物,抵消了氨的脱除效率 温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降.通常设计合理的HESNCR工艺能达到60 70,的脱除效率,2，反应室可以是熔炉。锅炉或单独设计的反应室、HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似、此系统还原剂氨 一般采用氨水溶液，10，3，5,本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求、1,逆流式活性炭选择性催化还原法。Coke.Selective Catalytic,Reaction、CSCR。是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺,100。200.CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行 一步处理即能够达到处理效果。活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素，脱硫是利用活性焦炭的吸附特性，脱硝是通过氨 一氧化氮.二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除,主要化学反应方程式如下.6NO、4NH3，5N2,6H2O6NO2.8NH3。7N2.12H2O，2。CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分、1 鼓风机。2 气体淬火系统,若需要,3 吸收塔,4,解吸塔 5、催化剂注入系统。传输系统及装卸系统 6，氨储存系统.蒸发系统及注入系统.7、氮气供应系统.8,控制系统,9 电气系统，10、3。6。本条是关于氨供应系统的要求 1.液氨蒸发器一般为螺旋管式.管内为液氨、管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力.通常以蒸汽直接喷入水中加热至40 再以温水将液氨汽化,并加热至常温，1、氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节 当水的温度高过55，时、则切断热源来源。并在控制室DCS上报警显示，2 如使用蒸汽作为热源。提供的蒸汽压力一般为0。8MPa，1,3MPa 温度280、375.以此作为蒸发器热源。3、蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0.2MPa、当出口压力达到0.38MPa时，切断液氨进料。4，蒸发罐安装安全阀，能防止设备压力异常过高,2 液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽、其作用是对氨气进行一个缓冲作用,保证氨气有一个稳定的压力.氨气缓冲槽的结构相对简单。主要包括氨气的进出口，安全阀以及排污阀等，