10。3。处理设备10,3,1。要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞.为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器,蒸发冷却塔需保温 10 3.2，袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系。在纯氧燃烧的熔炉系统中。要以1、8m,min为正常设计值,10。3.3 本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求 采用选择性非催化还原Selective.Non,Catalytic，Reduction.以下简写为SNCR技术.不使用催化剂 在850 1000。的温度范围内,将含氨基的还原剂,如氨水,尿素溶液等 喷入炉内.将烟气中的氮氧化物还原脱除。生成氮气和水。在合适的温度区域。且氨水和尿素作为还原剂时.其反应方程式为.1、NH3为还原剂,4NH3、4NO O2.4N2.6H2O NO2具有氧化性.和NH3反应生成H2O和N26NO2.8NH3。7N2、12H2O，2,尿素为还原剂,2NO，2CO，NH2、2。O2、3N2，2CO2.2H2O10，3、4 本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求 1、高效选择性非催化还原法.HESNCR，为SNCR的改进型、第二代的SNCR系统,有比SNCR更高的脱硝处理效果，HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器、首先常温预先雾化氨水溶液.然后高温气化并增压、气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内 使氨与烟气充分混合并接触反应 在炉膛800。1100、这一狭窄的温度范围内，在无催化剂作用下 氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物.基本上不与烟气中的氧反应 主要反应与SNCR相同。NH3、NOx，N2.H2O,HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度 氨和氮氧化物的化学计量比.混合程度。反应时间等，研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要 最佳反应温度是950，若温度过低,氨的反应不完全 容易造成氨泄漏，而温度过高，氨则容易被氧化为氮氧化物 抵消了氨的脱除效率 温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降、通常设计合理的HESNCR工艺能达到60,70.的脱除效率 2.反应室可以是熔炉、锅炉或单独设计的反应室,HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似 此系统还原剂氨，一般采用氨水溶液。10.3。5,本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求、1 逆流式活性炭选择性催化还原法 Coke、Selective,Catalytic Reaction，CSCR。是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺、100.200 CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行.一步处理即能够达到处理效果.活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素.脱硫是利用活性焦炭的吸附特性，脱硝是通过氨，一氧化氮、二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除.主要化学反应方程式如下.6NO。4NH3 5N2、6H2O6NO2、8NH3,7N2 12H2O、2 CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分，1、鼓风机.2、气体淬火系统 若需要 3，吸收塔。4，解吸塔。5。催化剂注入系统。传输系统及装卸系统，6，氨储存系统.蒸发系统及注入系统,7.氮气供应系统.8，控制系统 9。电气系统.10，3.6.本条是关于氨供应系统的要求,1 液氨蒸发器一般为螺旋管式,管内为液氨,管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力,通常以蒸汽直接喷入水中加热至40、再以温水将液氨汽化、并加热至常温，1 氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节,当水的温度高过55.时,则切断热源来源、并在控制室DCS上报警显示 2.如使用蒸汽作为热源。提供的蒸汽压力一般为0。8MPa 1。3MPa，温度280。375。以此作为蒸发器热源 3。蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0、2MPa。当出口压力达到0，38MPa时.切断液氨进料、4、蒸发罐安装安全阀、能防止设备压力异常过高，2,液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽,其作用是对氨气进行一个缓冲作用 保证氨气有一个稳定的压力,氨气缓冲槽的结构相对简单。主要包括氨气的进出口。安全阀以及排污阀等，