10、3。处理设备10.3，1。要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞、为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器、蒸发冷却塔需保温.10，3,2，袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系。在纯氧燃烧的熔炉系统中，要以1,8m min为正常设计值,10 3，3。本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求，采用选择性非催化还原Selective Non、Catalytic Reduction。以下简写为SNCR技术 不使用催化剂,在850，1000，的温度范围内。将含氨基的还原剂,如氨水,尿素溶液等、喷入炉内.将烟气中的氮氧化物还原脱除、生成氮气和水 在合适的温度区域，且氨水和尿素作为还原剂时.其反应方程式为,1。NH3为还原剂,4NH3,4NO.O2，4N2，6H2O,NO2具有氧化性，和NH3反应生成H2O和N26NO2 8NH3.7N2.12H2O、2、尿素为还原剂 2NO 2CO.NH2,2 O2。3N2，2CO2，2H2O10,3。4，本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求。1，高效选择性非催化还原法,HESNCR、为SNCR的改进型、第二代的SNCR系统.有比SNCR更高的脱硝处理效果,HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器.首先常温预先雾化氨水溶液.然后高温气化并增压 气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内,使氨与烟气充分混合并接触反应,在炉膛800，1100，这一狭窄的温度范围内，在无催化剂作用下，氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物。基本上不与烟气中的氧反应.主要反应与SNCR相同。NH3 NOx N2.H2O。HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度,氨和氮氧化物的化学计量比 混合程度,反应时间等、研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要 最佳反应温度是950,若温度过低。氨的反应不完全.容易造成氨泄漏,而温度过高 氨则容易被氧化为氮氧化物.抵消了氨的脱除效率。温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降 通常设计合理的HESNCR工艺能达到60，70，的脱除效率.2。反应室可以是熔炉，锅炉或单独设计的反应室 HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似,此系统还原剂氨、一般采用氨水溶液 10、3,5.本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求.1 逆流式活性炭选择性催化还原法,Coke、Selective Catalytic，Reaction，CSCR.是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺,100 200 CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行、一步处理即能够达到处理效果、活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素。脱硫是利用活性焦炭的吸附特性，脱硝是通过氨，一氧化氮。二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除 主要化学反应方程式如下。6NO、4NH3,5N2.6H2O6NO2 8NH3 7N2 12H2O,2，CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分,1.鼓风机.2,气体淬火系统,若需要 3。吸收塔，4。解吸塔,5、催化剂注入系统。传输系统及装卸系统，6。氨储存系统.蒸发系统及注入系统、7，氮气供应系统，8 控制系统.9,电气系统，10、3，6 本条是关于氨供应系统的要求.1，液氨蒸发器一般为螺旋管式，管内为液氨 管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力 通常以蒸汽直接喷入水中加热至40。再以温水将液氨汽化 并加热至常温 1 氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节，当水的温度高过55,时.则切断热源来源、并在控制室DCS上报警显示 2 如使用蒸汽作为热源.提供的蒸汽压力一般为0 8MPa。1。3MPa.温度280、375、以此作为蒸发器热源，3.蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0 2MPa，当出口压力达到0，38MPa时 切断液氨进料.4，蒸发罐安装安全阀.能防止设备压力异常过高、2,液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽。其作用是对氨气进行一个缓冲作用，保证氨气有一个稳定的压力，氨气缓冲槽的结构相对简单、主要包括氨气的进出口，安全阀以及排污阀等。