10，3 处理设备10、3 1。要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞、为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器 蒸发冷却塔需保温、10。3。2,袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系.在纯氧燃烧的熔炉系统中。要以1。8m、min为正常设计值,10 3 3 本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求，采用选择性非催化还原Selective、Non，Catalytic，Reduction，以下简写为SNCR技术 不使用催化剂。在850。1000,的温度范围内 将含氨基的还原剂，如氨水，尿素溶液等,喷入炉内,将烟气中的氮氧化物还原脱除，生成氮气和水，在合适的温度区域。且氨水和尿素作为还原剂时 其反应方程式为，1,NH3为还原剂,4NH3.4NO.O2 4N2.6H2O、NO2具有氧化性、和NH3反应生成H2O和N26NO2 8NH3，7N2。12H2O，2,尿素为还原剂,2NO、2CO,NH2,2,O2，3N2，2CO2,2H2O10,3，4、本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求、1、高效选择性非催化还原法、HESNCR 为SNCR的改进型.第二代的SNCR系统 有比SNCR更高的脱硝处理效果 HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器.首先常温预先雾化氨水溶液。然后高温气化并增压.气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内 使氨与烟气充分混合并接触反应 在炉膛800 1100。这一狭窄的温度范围内，在无催化剂作用下 氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物、基本上不与烟气中的氧反应,主要反应与SNCR相同。NH3 NOx N2.H2O，HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度。氨和氮氧化物的化学计量比，混合程度 反应时间等。研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要。最佳反应温度是950、若温度过低，氨的反应不完全。容易造成氨泄漏,而温度过高.氨则容易被氧化为氮氧化物、抵消了氨的脱除效率 温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降。通常设计合理的HESNCR工艺能达到60、70、的脱除效率。2,反应室可以是熔炉.锅炉或单独设计的反应室.HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似,此系统还原剂氨.一般采用氨水溶液。10、3。5 本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求.1，逆流式活性炭选择性催化还原法.Coke Selective、Catalytic.Reaction CSCR,是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺，100，200.CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行.一步处理即能够达到处理效果.活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素.脱硫是利用活性焦炭的吸附特性 脱硝是通过氨、一氧化氮。二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除、主要化学反应方程式如下。6NO,4NH3。5N2。6H2O6NO2。8NH3 7N2、12H2O。2。CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分。1，鼓风机、2 气体淬火系统.若需要.3，吸收塔、4。解吸塔、5。催化剂注入系统。传输系统及装卸系统 6 氨储存系统、蒸发系统及注入系统、7。氮气供应系统。8.控制系统，9 电气系统、10，3，6，本条是关于氨供应系统的要求，1。液氨蒸发器一般为螺旋管式.管内为液氨，管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力。通常以蒸汽直接喷入水中加热至40、再以温水将液氨汽化。并加热至常温.1。氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节、当水的温度高过55.时、则切断热源来源，并在控制室DCS上报警显示 2,如使用蒸汽作为热源,提供的蒸汽压力一般为0 8MPa.1 3MPa 温度280.375。以此作为蒸发器热源,3.蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0，2MPa 当出口压力达到0、38MPa时。切断液氨进料、4。蒸发罐安装安全阀，能防止设备压力异常过高,2，液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽，其作用是对氨气进行一个缓冲作用。保证氨气有一个稳定的压力，氨气缓冲槽的结构相对简单 主要包括氨气的进出口。安全阀以及排污阀等