10、3，处理设备10 3。1.要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞。为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器，蒸发冷却塔需保温 10,3，2、袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系，在纯氧燃烧的熔炉系统中。要以1.8m.min为正常设计值,10,3,3、本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求、采用选择性非催化还原Selective.Non.Catalytic,Reduction.以下简写为SNCR技术 不使用催化剂,在850。1000 的温度范围内.将含氨基的还原剂。如氨水、尿素溶液等。喷入炉内.将烟气中的氮氧化物还原脱除。生成氮气和水 在合适的温度区域 且氨水和尿素作为还原剂时,其反应方程式为.1 NH3为还原剂、4NH3，4NO.O2。4N2，6H2O，NO2具有氧化性。和NH3反应生成H2O和N26NO2 8NH3,7N2、12H2O。2，尿素为还原剂，2NO 2CO.NH2 2。O2。3N2。2CO2，2H2O10.3,4，本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求。1 高效选择性非催化还原法.HESNCR，为SNCR的改进型 第二代的SNCR系统 有比SNCR更高的脱硝处理效果、HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器.首先常温预先雾化氨水溶液,然后高温气化并增压，气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内。使氨与烟气充分混合并接触反应,在炉膛800，1100,这一狭窄的温度范围内。在无催化剂作用下、氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物。基本上不与烟气中的氧反应.主要反应与SNCR相同,NH3。NOx。N2。H2O、HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度，氨和氮氧化物的化学计量比。混合程度 反应时间等。研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要、最佳反应温度是950、若温度过低、氨的反应不完全。容易造成氨泄漏，而温度过高.氨则容易被氧化为氮氧化物 抵消了氨的脱除效率。温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降。通常设计合理的HESNCR工艺能达到60 70 的脱除效率，2 反应室可以是熔炉，锅炉或单独设计的反应室。HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似。此系统还原剂氨 一般采用氨水溶液,10 3。5 本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求 1.逆流式活性炭选择性催化还原法,Coke、Selective，Catalytic、Reaction。CSCR 是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺。100,200。CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行 一步处理即能够达到处理效果、活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素 脱硫是利用活性焦炭的吸附特性、脱硝是通过氨。一氧化氮。二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除 主要化学反应方程式如下，6NO，4NH3、5N2 6H2O6NO2、8NH3。7N2。12H2O。2 CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分 1,鼓风机 2，气体淬火系统，若需要、3，吸收塔、4。解吸塔.5.催化剂注入系统 传输系统及装卸系统 6、氨储存系统。蒸发系统及注入系统,7、氮气供应系统、8，控制系统。9，电气系统，10 3.6。本条是关于氨供应系统的要求.1 液氨蒸发器一般为螺旋管式,管内为液氨 管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力、通常以蒸汽直接喷入水中加热至40 再以温水将液氨汽化，并加热至常温。1 氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节。当水的温度高过55 时。则切断热源来源、并在控制室DCS上报警显示、2。如使用蒸汽作为热源。提供的蒸汽压力一般为0,8MPa.1、3MPa、温度280 375.以此作为蒸发器热源.3.蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0、2MPa,当出口压力达到0.38MPa时 切断液氨进料 4，蒸发罐安装安全阀，能防止设备压力异常过高,2。液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽,其作用是对氨气进行一个缓冲作用 保证氨气有一个稳定的压力、氨气缓冲槽的结构相对简单，主要包括氨气的进出口 安全阀以及排污阀等，