10。3。处理设备10，3，1，要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞 为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器.蒸发冷却塔需保温、10,3.2，袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系、在纯氧燃烧的熔炉系统中 要以1、8m min为正常设计值.10、3、3，本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求,采用选择性非催化还原Selective。Non Catalytic、Reduction。以下简写为SNCR技术,不使用催化剂。在850，1000 的温度范围内.将含氨基的还原剂，如氨水。尿素溶液等 喷入炉内、将烟气中的氮氧化物还原脱除。生成氮气和水.在合适的温度区域 且氨水和尿素作为还原剂时。其反应方程式为，1，NH3为还原剂、4NH3，4NO,O2.4N2,6H2O，NO2具有氧化性，和NH3反应生成H2O和N26NO2。8NH3、7N2 12H2O。2、尿素为还原剂。2NO,2CO、NH2,2。O2.3N2。2CO2。2H2O10,3.4.本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求,1.高效选择性非催化还原法。HESNCR，为SNCR的改进型 第二代的SNCR系统、有比SNCR更高的脱硝处理效果,HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器 首先常温预先雾化氨水溶液，然后高温气化并增压。气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内，使氨与烟气充分混合并接触反应、在炉膛800.1100。这一狭窄的温度范围内，在无催化剂作用下.氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物、基本上不与烟气中的氧反应、主要反应与SNCR相同,NH3、NOx N2，H2O、HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度 氨和氮氧化物的化学计量比 混合程度,反应时间等。研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要。最佳反应温度是950，若温度过低,氨的反应不完全。容易造成氨泄漏。而温度过高。氨则容易被氧化为氮氧化物、抵消了氨的脱除效率 温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降 通常设计合理的HESNCR工艺能达到60、70,的脱除效率，2，反应室可以是熔炉.锅炉或单独设计的反应室,HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似 此系统还原剂氨.一般采用氨水溶液 10，3,5 本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求 1 逆流式活性炭选择性催化还原法，Coke，Selective,Catalytic Reaction、CSCR、是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺 100，200，CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行、一步处理即能够达到处理效果.活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素、脱硫是利用活性焦炭的吸附特性.脱硝是通过氨，一氧化氮,二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除,主要化学反应方程式如下，6NO 4NH3。5N2，6H2O6NO2 8NH3、7N2，12H2O.2,CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分 1，鼓风机。2,气体淬火系统.若需要,3，吸收塔。4，解吸塔.5、催化剂注入系统。传输系统及装卸系统，6,氨储存系统。蒸发系统及注入系统,7。氮气供应系统.8.控制系统 9 电气系统，10.3.6、本条是关于氨供应系统的要求 1。液氨蒸发器一般为螺旋管式.管内为液氨.管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力 通常以蒸汽直接喷入水中加热至40、再以温水将液氨汽化,并加热至常温，1 氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节、当水的温度高过55，时.则切断热源来源，并在控制室DCS上报警显示 2、如使用蒸汽作为热源。提供的蒸汽压力一般为0，8MPa。1、3MPa。温度280 375,以此作为蒸发器热源、3 蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0。2MPa.当出口压力达到0。38MPa时、切断液氨进料、4,蒸发罐安装安全阀.能防止设备压力异常过高 2、液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽。其作用是对氨气进行一个缓冲作用、保证氨气有一个稳定的压力、氨气缓冲槽的结构相对简单、主要包括氨气的进出口、安全阀以及排污阀等，