10、3。处理设备10，3、1、要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞 为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器,蒸发冷却塔需保温、10，3、2.袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系。在纯氧燃烧的熔炉系统中,要以1。8m、min为正常设计值,10.3。3、本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求,采用选择性非催化还原Selective Non、Catalytic、Reduction 以下简写为SNCR技术,不使用催化剂，在850、1000。的温度范围内 将含氨基的还原剂 如氨水，尿素溶液等 喷入炉内，将烟气中的氮氧化物还原脱除 生成氮气和水.在合适的温度区域。且氨水和尿素作为还原剂时 其反应方程式为。1，NH3为还原剂 4NH3 4NO，O2,4N2,6H2O，NO2具有氧化性，和NH3反应生成H2O和N26NO2.8NH3.7N2.12H2O，2 尿素为还原剂、2NO.2CO。NH2 2 O2，3N2.2CO2、2H2O10，3,4 本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求 1.高效选择性非催化还原法，HESNCR.为SNCR的改进型、第二代的SNCR系统,有比SNCR更高的脱硝处理效果、HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器.首先常温预先雾化氨水溶液。然后高温气化并增压。气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内、使氨与烟气充分混合并接触反应、在炉膛800,1100.这一狭窄的温度范围内、在无催化剂作用下.氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物.基本上不与烟气中的氧反应、主要反应与SNCR相同 NH3。NOx、N2.H2O,HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度、氨和氮氧化物的化学计量比，混合程度。反应时间等 研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要、最佳反应温度是950、若温度过低，氨的反应不完全.容易造成氨泄漏,而温度过高 氨则容易被氧化为氮氧化物,抵消了氨的脱除效率，温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降.通常设计合理的HESNCR工艺能达到60、70、的脱除效率.2，反应室可以是熔炉 锅炉或单独设计的反应室 HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似。此系统还原剂氨.一般采用氨水溶液 10 3,5。本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求,1、逆流式活性炭选择性催化还原法 Coke Selective，Catalytic Reaction。CSCR，是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺，100.200。CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行.一步处理即能够达到处理效果,活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素 脱硫是利用活性焦炭的吸附特性 脱硝是通过氨、一氧化氮、二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除.主要化学反应方程式如下 6NO,4NH3,5N2,6H2O6NO2 8NH3 7N2,12H2O，2。CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分、1，鼓风机，2、气体淬火系统，若需要,3、吸收塔.4 解吸塔，5.催化剂注入系统、传输系统及装卸系统,6、氨储存系统,蒸发系统及注入系统,7。氮气供应系统.8 控制系统。9 电气系统,10，3、6。本条是关于氨供应系统的要求 1,液氨蒸发器一般为螺旋管式,管内为液氨 管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力 通常以蒸汽直接喷入水中加热至40,再以温水将液氨汽化 并加热至常温 1.氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节，当水的温度高过55,时,则切断热源来源、并在控制室DCS上报警显示、2.如使用蒸汽作为热源，提供的蒸汽压力一般为0，8MPa 1。3MPa。温度280 375 以此作为蒸发器热源。3 蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0,2MPa、当出口压力达到0，38MPa时,切断液氨进料,4，蒸发罐安装安全阀、能防止设备压力异常过高 2.液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽.其作用是对氨气进行一个缓冲作用.保证氨气有一个稳定的压力 氨气缓冲槽的结构相对简单.主要包括氨气的进出口.安全阀以及排污阀等,