10 3。处理设备10 3、1 要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞，为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器.蒸发冷却塔需保温.10,3,2,袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系 在纯氧燃烧的熔炉系统中 要以1 8m min为正常设计值、10.3、3，本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求、采用选择性非催化还原Selective。Non。Catalytic，Reduction。以下简写为SNCR技术。不使用催化剂、在850。1000、的温度范围内,将含氨基的还原剂 如氨水.尿素溶液等，喷入炉内.将烟气中的氮氧化物还原脱除.生成氮气和水 在合适的温度区域 且氨水和尿素作为还原剂时 其反应方程式为.1、NH3为还原剂 4NH3.4NO O2 4N2、6H2O。NO2具有氧化性。和NH3反应生成H2O和N26NO2、8NH3.7N2,12H2O、2，尿素为还原剂 2NO,2CO、NH2 2.O2 3N2、2CO2，2H2O10。3,4、本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求.1。高效选择性非催化还原法.HESNCR.为SNCR的改进型，第二代的SNCR系统，有比SNCR更高的脱硝处理效果 HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器 首先常温预先雾化氨水溶液、然后高温气化并增压,气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内,使氨与烟气充分混合并接触反应，在炉膛800,1100，这一狭窄的温度范围内，在无催化剂作用下.氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物,基本上不与烟气中的氧反应 主要反应与SNCR相同 NH3.NOx、N2。H2O.HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度.氨和氮氧化物的化学计量比。混合程度 反应时间等、研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要，最佳反应温度是950,若温度过低。氨的反应不完全,容易造成氨泄漏.而温度过高 氨则容易被氧化为氮氧化物 抵消了氨的脱除效率，温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降、通常设计合理的HESNCR工艺能达到60。70.的脱除效率 2，反应室可以是熔炉、锅炉或单独设计的反应室,HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似,此系统还原剂氨，一般采用氨水溶液、10、3.5.本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求。1。逆流式活性炭选择性催化还原法.Coke，Selective。Catalytic.Reaction,CSCR，是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺.100 200，CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行.一步处理即能够达到处理效果、活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素.脱硫是利用活性焦炭的吸附特性 脱硝是通过氨.一氧化氮 二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除.主要化学反应方程式如下.6NO。4NH3 5N2、6H2O6NO2，8NH3，7N2,12H2O.2、CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分.1,鼓风机。2 气体淬火系统.若需要。3,吸收塔。4、解吸塔.5、催化剂注入系统。传输系统及装卸系统。6 氨储存系统,蒸发系统及注入系统,7。氮气供应系统。8，控制系统.9。电气系统。10.3，6。本条是关于氨供应系统的要求,1，液氨蒸发器一般为螺旋管式.管内为液氨，管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力 通常以蒸汽直接喷入水中加热至40。再以温水将液氨汽化，并加热至常温、1、氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节，当水的温度高过55。时，则切断热源来源,并在控制室DCS上报警显示 2。如使用蒸汽作为热源.提供的蒸汽压力一般为0，8MPa,1 3MPa。温度280，375。以此作为蒸发器热源。3 蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0.2MPa,当出口压力达到0。38MPa时、切断液氨进料 4.蒸发罐安装安全阀。能防止设备压力异常过高.2、液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽、其作用是对氨气进行一个缓冲作用，保证氨气有一个稳定的压力 氨气缓冲槽的结构相对简单.主要包括氨气的进出口、安全阀以及排污阀等