10 3。处理设备10。3,1、要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞、为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器。蒸发冷却塔需保温。10，3 2 袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系.在纯氧燃烧的熔炉系统中、要以1、8m,min为正常设计值。10。3,3.本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求 采用选择性非催化还原Selective.Non,Catalytic.Reduction，以下简写为SNCR技术.不使用催化剂，在850.1000。的温度范围内、将含氨基的还原剂 如氨水，尿素溶液等,喷入炉内。将烟气中的氮氧化物还原脱除.生成氮气和水,在合适的温度区域，且氨水和尿素作为还原剂时,其反应方程式为.1.NH3为还原剂，4NH3，4NO、O2，4N2、6H2O,NO2具有氧化性 和NH3反应生成H2O和N26NO2。8NH3，7N2。12H2O，2 尿素为还原剂、2NO、2CO,NH2.2、O2.3N2 2CO2，2H2O10。3。4,本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求.1.高效选择性非催化还原法.HESNCR、为SNCR的改进型。第二代的SNCR系统,有比SNCR更高的脱硝处理效果.HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器、首先常温预先雾化氨水溶液,然后高温气化并增压.气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内，使氨与烟气充分混合并接触反应,在炉膛800，1100 这一狭窄的温度范围内、在无催化剂作用下 氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物。基本上不与烟气中的氧反应.主要反应与SNCR相同。NH3,NOx N2。H2O HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度、氨和氮氧化物的化学计量比。混合程度。反应时间等 研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要。最佳反应温度是950、若温度过低。氨的反应不完全。容易造成氨泄漏。而温度过高。氨则容易被氧化为氮氧化物，抵消了氨的脱除效率。温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降 通常设计合理的HESNCR工艺能达到60。70。的脱除效率、2,反应室可以是熔炉、锅炉或单独设计的反应室.HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似，此系统还原剂氨，一般采用氨水溶液。10、3.5、本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求,1、逆流式活性炭选择性催化还原法.Coke、Selective,Catalytic,Reaction,CSCR，是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺.100 200，CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行,一步处理即能够达到处理效果。活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素。脱硫是利用活性焦炭的吸附特性 脱硝是通过氨 一氧化氮，二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除,主要化学反应方程式如下、6NO,4NH3.5N2 6H2O6NO2.8NH3,7N2 12H2O,2。CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分，1 鼓风机.2，气体淬火系统.若需要.3,吸收塔。4 解吸塔、5，催化剂注入系统。传输系统及装卸系统。6。氨储存系统、蒸发系统及注入系统。7，氮气供应系统、8、控制系统 9.电气系统.10.3,6,本条是关于氨供应系统的要求 1.液氨蒸发器一般为螺旋管式,管内为液氨。管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力。通常以蒸汽直接喷入水中加热至40.再以温水将液氨汽化 并加热至常温,1、氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节、当水的温度高过55，时,则切断热源来源，并在控制室DCS上报警显示 2，如使用蒸汽作为热源,提供的蒸汽压力一般为0,8MPa 1,3MPa 温度280 375.以此作为蒸发器热源、3、蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0.2MPa。当出口压力达到0。38MPa时。切断液氨进料,4、蒸发罐安装安全阀、能防止设备压力异常过高，2，液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽。其作用是对氨气进行一个缓冲作用、保证氨气有一个稳定的压力 氨气缓冲槽的结构相对简单,主要包括氨气的进出口,安全阀以及排污阀等、