10。3。处理设备10.3，1.要采用碳化钨进行喷嘴硬化处理等措施是防止喷嘴堵塞.为确保废气以尽可能高的温度进入除尘器.蒸发冷却塔需保温，10，3 2.袋式除尘器的气布比与废气的性质有关系，在纯氧燃烧的熔炉系统中，要以1,8m.min为正常设计值。10、3 3、本条是关于选择性非催化还原法处理设备的要求,采用选择性非催化还原Selective、Non,Catalytic，Reduction.以下简写为SNCR技术，不使用催化剂，在850，1000.的温度范围内.将含氨基的还原剂,如氨水,尿素溶液等.喷入炉内。将烟气中的氮氧化物还原脱除、生成氮气和水。在合适的温度区域，且氨水和尿素作为还原剂时,其反应方程式为.1，NH3为还原剂，4NH3，4NO O2、4N2.6H2O。NO2具有氧化性、和NH3反应生成H2O和N26NO2 8NH3.7N2 12H2O 2。尿素为还原剂,2NO 2CO、NH2，2。O2、3N2 2CO2 2H2O10,3,4,本条是关于高效选择性非催化还原法处理设备的要求 1。高效选择性非催化还原法、HESNCR,为SNCR的改进型,第二代的SNCR系统、有比SNCR更高的脱硝处理效果、HESNCR工艺通过氨气增温增压混合器。首先常温预先雾化氨水溶液。然后高温气化并增压。气态氨喷入待处理烟气的脱硝反应区内.使氨与烟气充分混合并接触反应。在炉膛800.1100 这一狭窄的温度范围内。在无催化剂作用下、氨基还原剂选择性地还原烟气中的氮氧化物，基本上不与烟气中的氧反应、主要反应与SNCR相同.NH3 NOx.N2、H2O HESNCR工艺的氮氧化物脱除效率主要取决于适当的反应温度 氨和氮氧化物的化学计量比.混合程度.反应时间等，研究表明HESNCR工艺的温度控制至关重要,最佳反应温度是950.若温度过低,氨的反应不完全、容易造成氨泄漏。而温度过高。氨则容易被氧化为氮氧化物，抵消了氨的脱除效率,温度过高或过低都会导致还原剂的损失和氮氧化物脱除率下降.通常设计合理的HESNCR工艺能达到60、70。的脱除效率.2。反应室可以是熔炉、锅炉或单独设计的反应室.HESNCR试剂的储存和处理系统与SCR和CSCR系统类似.此系统还原剂氨,一般采用氨水溶液.10.3,5，本条是关于逆流式活性炭选择性催化还原法处理设备的要求 1,逆流式活性炭选择性催化还原法.Coke。Selective，Catalytic。Reaction，CSCR,是一种干式低温活性焦炭脱硝工艺，100 200，CSCR的脱硫脱氮过程在一个反应器内进行.一步处理即能够达到处理效果。活性焦炭是这一处理过程的关键和重要的因素.脱硫是利用活性焦炭的吸附特性、脱硝是通过氨,一氧化氮，二氧化氮和活性焦炭发生催化还原反应而去除，主要化学反应方程式如下,6NO。4NH3 5N2、6H2O6NO2,8NH3,7N2。12H2O，2,CSCR脱硝系统有以下几个重要组成成分 1,鼓风机、2，气体淬火系统,若需要，3 吸收塔。4.解吸塔.5.催化剂注入系统、传输系统及装卸系统 6 氨储存系统 蒸发系统及注入系统,7 氮气供应系统、8 控制系统 9。电气系统 10.3.6,本条是关于氨供应系统的要求.1、液氨蒸发器一般为螺旋管式.管内为液氨,管外为温水浴缓冲槽维持适当温度及压力,通常以蒸汽直接喷入水中加热至40，再以温水将液氨汽化,并加热至常温,1。氨气流量受蒸发槽本身水浴温度控制调节，当水的温度高过55 时.则切断热源来源，并在控制室DCS上报警显示，2。如使用蒸汽作为热源。提供的蒸汽压力一般为0，8MPa。1.3MPa 温度280.375,以此作为蒸发器热源，3 蒸发罐上要装有压力控制阀将氨气压力控制在0、2MPa,当出口压力达到0，38MPa时。切断液氨进料，4、蒸发罐安装安全阀,能防止设备压力异常过高.2。液氨经过蒸发器蒸发为氨气后进入气氨缓冲槽。其作用是对氨气进行一个缓冲作用.保证氨气有一个稳定的压力、氨气缓冲槽的结构相对简单，主要包括氨气的进出口,安全阀以及排污阀等，