3、工艺设计3 1。一般规定3 1，1 生产环境宜符合表3。1。1的要求.表3，1，1,生产环境需求表3.1、2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定.1.用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ，cm，2,用于硅片划片的纯水电阻率宜在0 5MΩ cm.1MΩ cm范围内,3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ cm,3，1.3。生产过程所使用气体的品质应符合下列规定 1、用于通孔、凸块工序的气体纯度不宜低于99 9999。露点不宜低于，60.2 用于中测 磨片、划片，粘片,焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99。99,99.9999 范围内 露点宜在。40。60,范围内，