3,工艺设计3，1、一般规定3.1、1、生产环境宜符合表3 1、1的要求。表3,1.1、生产环境需求表3、1、2。生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定,1。用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ,cm 2.用于硅片划片的纯水电阻率宜在0,5MΩ，cm.1MΩ。cm范围内。3。用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm,3。1，3,生产过程所使用气体的品质应符合下列规定、1 用于通孔，凸块工序的气体纯度不宜低于99，9999。露点不宜低于,60。2.用于中测，磨片。划片 粘片，焊线、塑封等工序的气体纯度宜在99 99,99。9999.范围内,露点宜在、40，60.范围内.