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- 集成电路封装测试厂设计规范 GB 51122-2015
- 1 总 则
- 2 术 语
- 3 工艺设计
- 3.1 一般规定
- 3.2 技术设备
- 3.3 工艺布局
- 4 厂址选择及布局
- 5 建筑与结构
- 6 给排水与消防
- 7 电 气
- 8 净化空调及工艺排风
- 9 纯水与废水处理
- 10 气体与真空
- 附录A 集成电路封装测试厂工艺流程
- 本规范用词说明
- 引用标准名录
- 条文说明
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- 石油库设计规范[附条文说明] GB 50074-2014
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3,工艺设计3.1、一般规定3 1 1.生产环境宜符合表3,1。1的要求.表3,1,1 生产环境需求表3。1 2，生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定 1,用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ cm.2 用于硅片划片的纯水电阻率宜在0、5MΩ,cm.1MΩ、cm范围内，3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm、3 1.3 生产过程所使用气体的品质应符合下列规定.1、用于通孔。凸块工序的气体纯度不宜低于99，9999、露点不宜低于、60 2，用于中测。磨片.划片，粘片。焊线。塑封等工序的气体纯度宜在99.99.99 9999,范围内。露点宜在。40 60 范围内,