3、工艺设计3。1,一般规定3，1 1，生产环境宜符合表3,1,1的要求，表3、1 1.生产环境需求表3。1.2。生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定，1.用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ、cm,2.用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ cm,1MΩ cm范围内.3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ,cm，3,1,3、生产过程所使用气体的品质应符合下列规定 1。用于通孔，凸块工序的气体纯度不宜低于99,9999。露点不宜低于、60 2.用于中测。磨片,划片.粘片，焊线,塑封等工序的气体纯度宜在99 99.99、9999、范围内、露点宜在，40.60 范围内。