3、工艺设计3、1 一般规定3，1、1,生产环境宜符合表3.1，1的要求。表3 1。1 生产环境需求表3，1。2,生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定。1，用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ。cm,2。用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ。cm，1MΩ.cm范围内 3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm.3、1.3.生产过程所使用气体的品质应符合下列规定.1,用于通孔,凸块工序的气体纯度不宜低于99，9999、露点不宜低于.60.2，用于中测.磨片.划片。粘片.焊线。塑封等工序的气体纯度宜在99,99，99，9999,范围内,露点宜在.40。60 范围内，