3 工艺设计3 1。一般规定3、1，1,生产环境宜符合表3。1。1的要求。表3，1,1 生产环境需求表3，1 2，生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定.1、用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ，cm.2、用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ。cm 1MΩ,cm范围内。3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm，3，1、3 生产过程所使用气体的品质应符合下列规定,1 用于通孔 凸块工序的气体纯度不宜低于99，9999。露点不宜低于,60.2,用于中测、磨片.划片。粘片.焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99 99 99。9999,范围内,露点宜在，40、60、范围内.