3,工艺设计3.1 一般规定3，1,1,生产环境宜符合表3。1、1的要求,表3,1 1、生产环境需求表3 1、2.生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定。1，用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ.cm 2.用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ，cm,1MΩ,cm范围内 3。用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ，cm，3。1，3、生产过程所使用气体的品质应符合下列规定.1 用于通孔，凸块工序的气体纯度不宜低于99、9999，露点不宜低于.60、2、用于中测。磨片。划片.粘片.焊线，塑封等工序的气体纯度宜在99、99、99,9999,范围内、露点宜在。40 60、范围内,