3.工艺设计3.1，一般规定3。1.1,生产环境宜符合表3,1、1的要求，表3.1、1 生产环境需求表3 1 2.生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定.1,用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ cm,2 用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ,cm,1MΩ、cm范围内,3.用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ、cm。3,1。3 生产过程所使用气体的品质应符合下列规定，1 用于通孔。凸块工序的气体纯度不宜低于99 9999 露点不宜低于 60、2,用于中测 磨片。划片、粘片,焊线 塑封等工序的气体纯度宜在99。99 99.9999、范围内、露点宜在.40,60。范围内