3 工艺设计3.1。一般规定3，1，1。生产环境宜符合表3、1，1的要求。表3 1。1.生产环境需求表3。1 2.生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定,1，用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ,cm.2。用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ。cm，1MΩ,cm范围内，3，用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ，cm、3,1,3。生产过程所使用气体的品质应符合下列规定。1,用于通孔、凸块工序的气体纯度不宜低于99。9999,露点不宜低于。60.2。用于中测.磨片，划片、粘片 焊线,塑封等工序的气体纯度宜在99，99.99。9999 范围内、露点宜在，40，60。范围内.