3。工艺设计3 1,一般规定3 1、1，生产环境宜符合表3.1。1的要求,表3,1，1。生产环境需求表3.1 2，生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定.1,用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ.cm 2.用于硅片划片的纯水电阻率宜在0，5MΩ、cm.1MΩ cm范围内、3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm.3。1，3、生产过程所使用气体的品质应符合下列规定，1 用于通孔.凸块工序的气体纯度不宜低于99、9999.露点不宜低于 60。2、用于中测、磨片 划片 粘片。焊线。塑封等工序的气体纯度宜在99,99。99。9999、范围内。露点宜在、40，60,范围内.