3、工艺设计3，1、一般规定3。1、1，生产环境宜符合表3、1。1的要求,表3,1、1.生产环境需求表3.1.2、生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定.1.用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ cm、2，用于硅片划片的纯水电阻率宜在0，5MΩ。cm。1MΩ。cm范围内。3,用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm。3,1,3.生产过程所使用气体的品质应符合下列规定,1，用于通孔。凸块工序的气体纯度不宜低于99,9999,露点不宜低于 60，2、用于中测.磨片、划片 粘片、焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99 99。99.9999。范围内、露点宜在,40 60。范围内。