3，工艺设计3、1，一般规定3。1。1 生产环境宜符合表3，1,1的要求。表3。1.1,生产环境需求表3 1.2,生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定,1、用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ cm.2。用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ。cm，1MΩ、cm范围内 3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ cm 3.1，3。生产过程所使用气体的品质应符合下列规定。1。用于通孔,凸块工序的气体纯度不宜低于99、9999,露点不宜低于 60.2.用于中测、磨片，划片、粘片.焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99,99 99,9999.范围内。露点宜在 40 60，范围内.