3.工艺设计3 1.一般规定3。1、1.生产环境宜符合表3,1.1的要求.表3,1 1,生产环境需求表3、1 2.生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定 1、用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ。cm.2.用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ、cm。1MΩ,cm范围内、3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ cm。3,1.3 生产过程所使用气体的品质应符合下列规定.1,用于通孔.凸块工序的气体纯度不宜低于99、9999 露点不宜低于 60,2、用于中测.磨片。划片 粘片 焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99、99.99。9999、范围内,露点宜在,40.60,范围内。
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