3,工艺设计3，1.一般规定3，1。1。生产环境宜符合表3.1、1的要求、表3,1,1。生产环境需求表3。1。2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定 1。用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ。cm、2.用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ。cm 1MΩ,cm范围内。3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm、3。1，3,生产过程所使用气体的品质应符合下列规定 1、用于通孔,凸块工序的气体纯度不宜低于99,9999,露点不宜低于.60,2,用于中测、磨片，划片,粘片 焊线。塑封等工序的气体纯度宜在99,99，99.9999。范围内、露点宜在。40,60,范围内