3。工艺设计3，1。一般规定3,1,1。生产环境宜符合表3 1。1的要求、表3。1.1、生产环境需求表3 1。2。生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定。1，用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ,cm。2，用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ，cm 1MΩ、cm范围内。3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ,cm，3,1、3.生产过程所使用气体的品质应符合下列规定。1。用于通孔、凸块工序的气体纯度不宜低于99。9999.露点不宜低于,60。2。用于中测 磨片，划片 粘片 焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99.99,99。9999 范围内.露点宜在、40,60 范围内。