3,工艺设计3、1、一般规定3,1,1、生产环境宜符合表3，1 1的要求。表3，1 1,生产环境需求表3。1,2.生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定，1，用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ。cm。2，用于硅片划片的纯水电阻率宜在0 5MΩ cm，1MΩ,cm范围内 3,用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm，3、1,3。生产过程所使用气体的品质应符合下列规定,1,用于通孔 凸块工序的气体纯度不宜低于99 9999、露点不宜低于、60.2、用于中测,磨片 划片，粘片.焊线，塑封等工序的气体纯度宜在99.99.99 9999。范围内。露点宜在.40。60，范围内,