3。工艺设计3。1 一般规定3、1、1,生产环境宜符合表3 1。1的要求 表3、1、1，生产环境需求表3，1，2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定。1,用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ.cm。2，用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ,cm、1MΩ cm范围内，3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm,3.1、3.生产过程所使用气体的品质应符合下列规定。1、用于通孔、凸块工序的气体纯度不宜低于99、9999 露点不宜低于、60，2 用于中测。磨片。划片,粘片、焊线，塑封等工序的气体纯度宜在99，99 99 9999,范围内,露点宜在,40.60。范围内、