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- 集成电路封装测试厂设计规范 GB 51122-2015
- 1 总 则
- 2 术 语
- 3 工艺设计
- 3.1 一般规定
- 3.2 技术设备
- 3.3 工艺布局
- 4 厂址选择及布局
- 5 建筑与结构
- 6 给排水与消防
- 7 电 气
- 8 净化空调及工艺排风
- 9 纯水与废水处理
- 10 气体与真空
- 附录A 集成电路封装测试厂工艺流程
- 本规范用词说明
- 引用标准名录
- 条文说明
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- 旅馆建筑设计规范[附条文说明] JGJ 62-2014
- 工程隔振设计标准[附条文说明] GB 50463-2019
- 宿舍、旅馆建筑项目规范[附条文说明] GB 55025-2022
3，工艺设计3 1 一般规定3，1，1.生产环境宜符合表3 1 1的要求，表3.1 1、生产环境需求表3、1 2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定、1、用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ cm.2,用于硅片划片的纯水电阻率宜在0，5MΩ、cm，1MΩ，cm范围内，3,用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ.cm。3,1，3。生产过程所使用气体的品质应符合下列规定。1,用于通孔 凸块工序的气体纯度不宜低于99。9999。露点不宜低于，60,2.用于中测。磨片，划片、粘片，焊线，塑封等工序的气体纯度宜在99，99,99.9999。范围内,露点宜在 40,60。范围内，