3、工艺设计3,1、一般规定3.1.1 生产环境宜符合表3、1,1的要求，表3。1，1。生产环境需求表3，1.2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定.1,用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ.cm 2 用于硅片划片的纯水电阻率宜在0、5MΩ,cm、1MΩ，cm范围内.3 用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ、cm,3、1,3,生产过程所使用气体的品质应符合下列规定 1、用于通孔.凸块工序的气体纯度不宜低于99 9999 露点不宜低于.60、2,用于中测，磨片,划片.粘片.焊线、塑封等工序的气体纯度宜在99.99.99，9999。范围内 露点宜在,40.60，范围内