附录C，发光二极管生产的典型工艺流程C。2.1，采用金属有机化学气相沉积设备 在衬底，如Al2O3 GaAs、上做外延层，GaN.AlGaInP。和相应的掺杂层如p,GaN层.n。GaN层,p，AlxGayIn1,x.yP层、n,AlxGayIn1 x,yP层等。按照特定程序生长出符合设计要求的外延层 GaN GaAs AlxGayIn1。x,yP。C，2。2 管芯、芯片.生产工艺流程包括 光刻，刻蚀，减薄、划片,绷片 扩片、测试，分拣等工艺、光刻.通过一系列生产步骤。在晶圆表面部分区域形成设计所需的薄膜保护层,以便后续工序进行选择性蚀刻.光刻工艺主要包含匀胶、烘干，曝光 显影四个阶段,匀胶、在清洗后的外延片上、涂覆一层均匀的光刻胶。烘干 在一定条件下烘烤，除去光刻胶中的溶剂,增强黏附性、释放光刻胶膜内的应力，防止光刻胶玷污设备,曝光,在掩模版的遮蔽下 对光刻胶进行选择性曝光，使光刻胶发生化学反应,整个晶面的光刻胶薄膜由起交联反应部分与未起交联反应部分组成，显影。采用特定化学溶剂去除起交联反应部分光刻胶或去除未起交联反应部分光刻胶，在晶圆表面部分区域形成设计所需的薄膜保护层 刻蚀。刻蚀技术分为干法刻蚀和湿法刻蚀、刻蚀的目的是将光刻后暴露的保护层去除 使下面的基质层暴露出来。干法刻蚀，利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基、处于激发态的分子。原子及各种原子基团等.与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用选择性腐蚀基材的过程。刻蚀气氛通常含有F、Cl等离子体或碳等离子体、因此刻蚀气体通常使用CF4 Cl2。BCl3这一类的气体，湿法刻蚀、通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，根据不同的工艺要求而选择不同的刻蚀剂。最常用的是以氢氟酸.盐酸。硫酸，硝酸等和纯水配成的刻蚀液、刻蚀完成后.要用酸，碱和纯水反复冲洗、以保证刻痕的清洁。减薄 划片、绷片 扩片 对于氮化镓、或砷化镓。的衬底 先将已制作好管芯的一面用石蜡粘合在陶瓷盖上保护起来、在减薄机上用不同粒度大小的金刚砂对衬底进行减薄、将减薄后晶片粘在带黏性的薄膜上，用激光划片机划出或用金刚石锯片机切割出每一个单独的管芯.将划片后的晶片在绷片机上绷紧 用适当的力量和刀具击打划痕以使基片在划痕处裂开、最后在扩片机上将黏附衬底的薄膜伸张。使管芯与管芯之间分离一定间距 并黏附在薄膜上 测试。分拣,在分拣机上根据不同的测试数据按照一定的分类规则对管芯进行分类。C 2.3 管芯.芯片。封装生产工艺流程包括,装片、金线键合、固化,切筋 装片,将发光二极管芯片安装在相应的支架位置上、金线键合，键合的目的是将电极引到发光二极管芯片上,完成产品内外引线的连接作用,固化.对芯片进行包封,以产生器件的光学和防护特性，切筋.由于发光二极管在生产中是连在一起的，采用切筋工艺切断发光二极管支架的连筋.