4.5。半导体材料制备4。5。1.本条对硅.锗材料制备废气治理作出要求。3.高纯三氯氢硅还原尾气中 主要含有氢气、氯化氢和氯硅烷。还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能 露点.沸点.上的差异.通过加压冷凝、吸收，脱吸 活性炭吸附等物理手段。把尾气中的氢气,氯化氢、三氯氢硅,二氯二氢硅.四氯化硅逐一分开 分别返回主工艺中.四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅、也返回系统使用。由于还原尾气干法回收系统完全密闭。不外排尾气,分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用。从而达到了回收副产物、变废为用的目的 本规范推荐采用还原尾气干法回收技术、5。硅粉仓.锗精矿仓进，出料产生的粉尘.应设计高效布袋除尘器净化。回收的尘粉即硅粉 锗精矿粉，应返回原料制备车间,6，氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢,氯气、应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化,还原锗锭 区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢,氮氧化物的废气,应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物.氮氧化物达标排放,7、单晶硅.单晶锗酸洗过程产生含氟化氢。氮氧化物的废气、也应设置碱液淋洗装置净化.4.5，2.合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低 持续时间也很短。最长5min 这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min，由于炉内温度高于400、砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体 因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施，妥善处理事故排放的含砷废气,三氧化二砷气体是剧毒气体，因此将本条设为强制性条文 必须严格执行,