4.5 半导体材料制备4.5 1 本条对硅，锗材料制备废气治理作出要求，3.高纯三氯氢硅还原尾气中,主要含有氢气、氯化氢和氯硅烷、还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能、露点。沸点。上的差异，通过加压冷凝、吸收.脱吸，活性炭吸附等物理手段、把尾气中的氢气。氯化氢，三氯氢硅。二氯二氢硅.四氯化硅逐一分开,分别返回主工艺中，四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅.也返回系统使用。由于还原尾气干法回收系统完全密闭。不外排尾气。分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用，从而达到了回收副产物.变废为用的目的,本规范推荐采用还原尾气干法回收技术，5.硅粉仓.锗精矿仓进、出料产生的粉尘.应设计高效布袋除尘器净化,回收的尘粉即硅粉.锗精矿粉.应返回原料制备车间。6.氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢，氯气 应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化、还原锗锭、区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气 应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物 氮氧化物达标排放。7.单晶硅 单晶锗酸洗过程产生含氟化氢，氮氧化物的废气 也应设置碱液淋洗装置净化，4，5，2.合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低。持续时间也很短。最长5min。这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min，由于炉内温度高于400、砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体。因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施.妥善处理事故排放的含砷废气。三氧化二砷气体是剧毒气体、因此将本条设为强制性条文.必须严格执行.