4 5 半导体材料制备4,5,1，本条对硅，锗材料制备废气治理作出要求,3,高纯三氯氢硅还原尾气中.主要含有氢气。氯化氢和氯硅烷，还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能.露点 沸点.上的差异，通过加压冷凝。吸收,脱吸。活性炭吸附等物理手段、把尾气中的氢气,氯化氢.三氯氢硅，二氯二氢硅,四氯化硅逐一分开。分别返回主工艺中，四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅，也返回系统使用、由于还原尾气干法回收系统完全密闭、不外排尾气。分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用，从而达到了回收副产物、变废为用的目的.本规范推荐采用还原尾气干法回收技术,5 硅粉仓 锗精矿仓进 出料产生的粉尘。应设计高效布袋除尘器净化.回收的尘粉即硅粉.锗精矿粉、应返回原料制备车间。6.氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢，氯气.应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化.还原锗锭、区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢。氮氧化物的废气。应设计氢氧化钠碱液两级淋洗、才能使氟化物 氮氧化物达标排放.7、单晶硅.单晶锗酸洗过程产生含氟化氢.氮氧化物的废气。也应设置碱液淋洗装置净化.4、5、2.合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低,持续时间也很短.最长5min，这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min 由于炉内温度高于400。砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体，因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施 妥善处理事故排放的含砷废气.三氧化二砷气体是剧毒气体 因此将本条设为强制性条文、必须严格执行.