4、5。半导体材料制备4，5,1 本条对硅、锗材料制备废气治理作出要求。3。高纯三氯氢硅还原尾气中、主要含有氢气,氯化氢和氯硅烷。还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能、露点、沸点,上的差异,通过加压冷凝 吸收,脱吸、活性炭吸附等物理手段.把尾气中的氢气,氯化氢,三氯氢硅，二氯二氢硅 四氯化硅逐一分开、分别返回主工艺中，四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅.也返回系统使用,由于还原尾气干法回收系统完全密闭。不外排尾气。分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用、从而达到了回收副产物，变废为用的目的、本规范推荐采用还原尾气干法回收技术。5 硅粉仓 锗精矿仓进。出料产生的粉尘、应设计高效布袋除尘器净化 回收的尘粉即硅粉,锗精矿粉，应返回原料制备车间 6,氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢。氯气,应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化,还原锗锭 区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢 氮氧化物的废气。应设计氢氧化钠碱液两级淋洗.才能使氟化物、氮氧化物达标排放 7.单晶硅 单晶锗酸洗过程产生含氟化氢。氮氧化物的废气、也应设置碱液淋洗装置净化。4，5.2.合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低，持续时间也很短.最长5min 这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min 由于炉内温度高于400,砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体.因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施，妥善处理事故排放的含砷废气，三氧化二砷气体是剧毒气体、因此将本条设为强制性条文,必须严格执行、