4。5。半导体材料制备4 5，1.本条对硅，锗材料制备废气治理作出要求 3,高纯三氯氢硅还原尾气中。主要含有氢气,氯化氢和氯硅烷、还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能,露点。沸点,上的差异.通过加压冷凝,吸收,脱吸。活性炭吸附等物理手段，把尾气中的氢气.氯化氢 三氯氢硅,二氯二氢硅 四氯化硅逐一分开、分别返回主工艺中.四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅。也返回系统使用、由于还原尾气干法回收系统完全密闭。不外排尾气.分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用、从而达到了回收副产物,变废为用的目的,本规范推荐采用还原尾气干法回收技术 5、硅粉仓，锗精矿仓进 出料产生的粉尘.应设计高效布袋除尘器净化 回收的尘粉即硅粉、锗精矿粉。应返回原料制备车间,6，氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢，氯气、应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化，还原锗锭。区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢，氮氧化物的废气，应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物,氮氧化物达标排放,7。单晶硅。单晶锗酸洗过程产生含氟化氢。氮氧化物的废气、也应设置碱液淋洗装置净化。4，5。2、合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低，持续时间也很短、最长5min.这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min.由于炉内温度高于400.砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体 因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施.妥善处理事故排放的含砷废气,三氧化二砷气体是剧毒气体，因此将本条设为强制性条文、必须严格执行、