4、5。半导体材料制备4，5、1。本条对硅。锗材料制备废气治理作出要求、3,高纯三氯氢硅还原尾气中、主要含有氢气、氯化氢和氯硅烷。还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能 露点，沸点、上的差异，通过加压冷凝.吸收.脱吸 活性炭吸附等物理手段 把尾气中的氢气,氯化氢.三氯氢硅.二氯二氢硅，四氯化硅逐一分开。分别返回主工艺中，四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅，也返回系统使用、由于还原尾气干法回收系统完全密闭、不外排尾气，分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用。从而达到了回收副产物.变废为用的目的、本规范推荐采用还原尾气干法回收技术。5 硅粉仓、锗精矿仓进、出料产生的粉尘，应设计高效布袋除尘器净化，回收的尘粉即硅粉，锗精矿粉,应返回原料制备车间,6、氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢。氯气,应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化 还原锗锭，区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢.氮氧化物的废气，应设计氢氧化钠碱液两级淋洗、才能使氟化物、氮氧化物达标排放 7、单晶硅 单晶锗酸洗过程产生含氟化氢,氮氧化物的废气.也应设置碱液淋洗装置净化,4 5,2。合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低、持续时间也很短，最长5min,这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min、由于炉内温度高于400，砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体。因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施.妥善处理事故排放的含砷废气、三氧化二砷气体是剧毒气体，因此将本条设为强制性条文,必须严格执行、