4。5，半导体材料制备4 5、1 本条对硅、锗材料制备废气治理作出要求,3。高纯三氯氢硅还原尾气中,主要含有氢气 氯化氢和氯硅烷 还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能、露点。沸点,上的差异 通过加压冷凝.吸收、脱吸、活性炭吸附等物理手段,把尾气中的氢气,氯化氢,三氯氢硅。二氯二氢硅.四氯化硅逐一分开,分别返回主工艺中。四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅 也返回系统使用.由于还原尾气干法回收系统完全密闭。不外排尾气.分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用、从而达到了回收副产物.变废为用的目的.本规范推荐采用还原尾气干法回收技术 5,硅粉仓.锗精矿仓进、出料产生的粉尘。应设计高效布袋除尘器净化，回收的尘粉即硅粉 锗精矿粉,应返回原料制备车间.6、氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢、氯气、应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化 还原锗锭,区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢,氮氧化物的废气、应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物,氮氧化物达标排放,7。单晶硅.单晶锗酸洗过程产生含氟化氢,氮氧化物的废气.也应设置碱液淋洗装置净化,4、5、2，合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低 持续时间也很短,最长5min、这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min.由于炉内温度高于400。砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体。因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施，妥善处理事故排放的含砷废气、三氧化二砷气体是剧毒气体,因此将本条设为强制性条文，必须严格执行。