4。5，半导体材料制备4 5，1。本条对硅。锗材料制备废气治理作出要求.3、高纯三氯氢硅还原尾气中。主要含有氢气，氯化氢和氯硅烷.还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能 露点,沸点。上的差异。通过加压冷凝.吸收、脱吸、活性炭吸附等物理手段，把尾气中的氢气。氯化氢，三氯氢硅、二氯二氢硅,四氯化硅逐一分开.分别返回主工艺中,四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅 也返回系统使用，由于还原尾气干法回收系统完全密闭。不外排尾气,分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用。从而达到了回收副产物。变废为用的目的、本规范推荐采用还原尾气干法回收技术.5。硅粉仓。锗精矿仓进,出料产生的粉尘，应设计高效布袋除尘器净化 回收的尘粉即硅粉 锗精矿粉、应返回原料制备车间，6、氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢 氯气.应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化。还原锗锭、区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢。氮氧化物的废气.应设计氢氧化钠碱液两级淋洗.才能使氟化物.氮氧化物达标排放，7 单晶硅.单晶锗酸洗过程产生含氟化氢,氮氧化物的废气,也应设置碱液淋洗装置净化.4，5，2。合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低，持续时间也很短 最长5min，这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min.由于炉内温度高于400 砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体,因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施 妥善处理事故排放的含砷废气。三氧化二砷气体是剧毒气体、因此将本条设为强制性条文 必须严格执行,