4，5.半导体材料制备4。5、1、本条对硅,锗材料制备废气治理作出要求.3、高纯三氯氢硅还原尾气中，主要含有氢气 氯化氢和氯硅烷，还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能，露点,沸点、上的差异。通过加压冷凝,吸收，脱吸 活性炭吸附等物理手段。把尾气中的氢气 氯化氢，三氯氢硅，二氯二氢硅。四氯化硅逐一分开，分别返回主工艺中,四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅 也返回系统使用。由于还原尾气干法回收系统完全密闭，不外排尾气、分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用.从而达到了回收副产物。变废为用的目的，本规范推荐采用还原尾气干法回收技术，5,硅粉仓。锗精矿仓进.出料产生的粉尘,应设计高效布袋除尘器净化、回收的尘粉即硅粉 锗精矿粉,应返回原料制备车间、6、氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢。氯气 应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化，还原锗锭.区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢 氮氧化物的废气、应设计氢氧化钠碱液两级淋洗,才能使氟化物,氮氧化物达标排放、7、单晶硅,单晶锗酸洗过程产生含氟化氢 氮氧化物的废气，也应设置碱液淋洗装置净化,4，5、2、合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低、持续时间也很短 最长5min。这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min,由于炉内温度高于400、砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体、因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施,妥善处理事故排放的含砷废气,三氧化二砷气体是剧毒气体 因此将本条设为强制性条文.必须严格执行、