4.5,半导体材料制备4。5、1.本条对硅 锗材料制备废气治理作出要求，3，高纯三氯氢硅还原尾气中.主要含有氢气 氯化氢和氯硅烷。还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能,露点,沸点 上的差异、通过加压冷凝 吸收.脱吸。活性炭吸附等物理手段 把尾气中的氢气 氯化氢，三氯氢硅，二氯二氢硅 四氯化硅逐一分开.分别返回主工艺中.四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅、也返回系统使用。由于还原尾气干法回收系统完全密闭，不外排尾气、分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用.从而达到了回收副产物 变废为用的目的.本规范推荐采用还原尾气干法回收技术,5、硅粉仓。锗精矿仓进 出料产生的粉尘,应设计高效布袋除尘器净化.回收的尘粉即硅粉,锗精矿粉、应返回原料制备车间，6.氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢。氯气，应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化 还原锗锭。区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢 氮氧化物的废气,应设计氢氧化钠碱液两级淋洗。才能使氟化物 氮氧化物达标排放,7.单晶硅，单晶锗酸洗过程产生含氟化氢 氮氧化物的废气，也应设置碱液淋洗装置净化。4。5、2。合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低、持续时间也很短.最长5min,这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min.由于炉内温度高于400 砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体,因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施.妥善处理事故排放的含砷废气 三氧化二砷气体是剧毒气体，因此将本条设为强制性条文、必须严格执行