4 5.半导体材料制备4,5，1 本条对硅、锗材料制备废气治理作出要求,3，高纯三氯氢硅还原尾气中、主要含有氢气，氯化氢和氯硅烷、还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能.露点，沸点,上的差异，通过加压冷凝、吸收，脱吸，活性炭吸附等物理手段、把尾气中的氢气。氯化氢、三氯氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅逐一分开。分别返回主工艺中，四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅,也返回系统使用.由于还原尾气干法回收系统完全密闭 不外排尾气,分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用.从而达到了回收副产物、变废为用的目的.本规范推荐采用还原尾气干法回收技术 5，硅粉仓,锗精矿仓进，出料产生的粉尘。应设计高效布袋除尘器净化、回收的尘粉即硅粉 锗精矿粉。应返回原料制备车间、6 氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢,氯气。应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化,还原锗锭 区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气，应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物.氮氧化物达标排放、7、单晶硅。单晶锗酸洗过程产生含氟化氢，氮氧化物的废气。也应设置碱液淋洗装置净化,4 5 2 合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低 持续时间也很短,最长5min。这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min。由于炉内温度高于400。砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体.因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施,妥善处理事故排放的含砷废气.三氧化二砷气体是剧毒气体 因此将本条设为强制性条文,必须严格执行,