4、5、半导体材料制备4、5.1，本条对硅 锗材料制备废气治理作出要求、3 高纯三氯氢硅还原尾气中、主要含有氢气，氯化氢和氯硅烷.还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能，露点。沸点。上的差异，通过加压冷凝.吸收。脱吸、活性炭吸附等物理手段、把尾气中的氢气、氯化氢，三氯氢硅。二氯二氢硅 四氯化硅逐一分开。分别返回主工艺中。四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅。也返回系统使用 由于还原尾气干法回收系统完全密闭 不外排尾气 分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用。从而达到了回收副产物，变废为用的目的.本规范推荐采用还原尾气干法回收技术.5.硅粉仓,锗精矿仓进、出料产生的粉尘.应设计高效布袋除尘器净化、回收的尘粉即硅粉，锗精矿粉.应返回原料制备车间,6、氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢 氯气,应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化、还原锗锭 区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢。氮氧化物的废气,应设计氢氧化钠碱液两级淋洗。才能使氟化物，氮氧化物达标排放.7,单晶硅。单晶锗酸洗过程产生含氟化氢 氮氧化物的废气，也应设置碱液淋洗装置净化，4、5，2，合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低。持续时间也很短,最长5min 这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min 由于炉内温度高于400，砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体,因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施 妥善处理事故排放的含砷废气、三氧化二砷气体是剧毒气体.因此将本条设为强制性条文,必须严格执行、