5，5。半导体材料制备5。5.1，本条对硅.锗材料制备的生产废水处理作出要求,1、采用改良西门子工艺生产多晶硅的生产排水包括废气淋洗水、硅芯和硅片腐蚀产生的污酸及净化酸雾产生的酸性废水以及硅芯 硅片清洗水等 生产排水主要含氯离子,氟离子。可采用石灰中和处理,使污染物达标。或处理后回用于氯化氢合成。三氯氢硅合成.三氯氢硅提纯工序产生的废气淋洗或硅芯、硅片腐蚀产生的酸雾净化，2、硅片加工过程产生含碳化硅.有机溶质的浆料，应回收其中的碳化硅，3、锗精矿加盐酸氯化产出的粗四氯化锗蒸馏,复蒸，精馏生产精四氯化锗过程产生的废水含氯离子.呈酸性，四氯化锗水解产出二氧化锗的同时产生的水解母液也呈酸性、生产过程含盐酸的废气用水吸收的淋洗液同样呈酸性,均应采用中和法处理 4、单晶硅，单晶锗酸洗产生的含氟化氢 氮氧化物的废气，通常采用碱液淋洗吸收处理。淋洗液无论呈酸性还是呈碱性,都应中和处理 5、六价铬毒性大，因此本款为强制性条文，必须严格控制。为了检测单晶硅。单晶锗产品的晶体有无缺陷等质量问题 需要将晶体放在含铬溶液中浸泡,因而产生含铬废液.铬、总铬及六价铬.是第一类污染物。必须单独收集,还原处理至总铬浓度低于1，5mg、L。六价铬浓度低于0，5mg,L后,再送全厂污水处理站进一步净化处理、5.5，2 制备化合物半导体材料砷化镓的原料高纯砷的提纯过程产生含砷废水,合成后的砷化镓用王水清洗后、废弃的王水中含砷 砷化镓合成时、砷挥发物冷凝在石英管壁上,用王水清洗石英管壁的废液也含砷。废水.液。含砷浓度较高时.应首先考虑在酸性条件下以硫化砷的形式回收砷 含砷浓度较低时,应首先将三价砷转变为五价砷再进一步净化处理、因为三价状态的砷,As3,毒性20倍于五价状态的砷。As5，