地方法规
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半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1839-2016
2019-09-07
2.16M
半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1838-2016
2019-09-07
2.23M
半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1834-2016
2019-09-07
2.36M
半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1833-2016
2019-09-07
2.19M
半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1832-2016
2019-09-07
2.2M
半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1830-2016
2019-09-07
2.14M
半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
SJ/T 1826-2016
2019-09-07
2.1M
半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范
SJ/T 1486-2016
2019-09-07
2.17M
半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1480-2016
2019-09-07
2.43M
半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1477-2016
2019-09-07
2.13M
半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1472-2016
2019-09-07
2.35M
电动摩托车和电动轻便摩托车用锂离子电池
GB/T 36672-2018
2019-08-31
4.72M
MEMS电场传感器通用技术条件
GB/T 35086-2018
2019-08-31
3.01M
半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率
SJ/T 2658.16-2016
2019-08-30
654.75K
半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
SJ/T 2658.15-2016
2019-08-30
1M
半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
SJ/T 2658.14-2016
2019-08-30
832.58K
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数
SJ/T 2658.13-2015
2019-08-30
992.59K
半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽
SJ/T 2658.12-2015
2019-08-30
1.24M
半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间
SJ/T 2658.11-2015
2019-08-30
1.11M
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
SJ/T 2658.10-2015
2019-08-30
956.09K
半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角
SJ/T 2658.9-2015
2019-08-30
970.62K
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
SJ/T 2658.8-2015
2019-08-30
943.28K
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
SJ/T 2658.7-2015
2019-08-30
793.93K
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
SJ/T 2658.6-2015
2019-08-30
1.55M
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
SJ/T 2658.5-2015
2019-08-30
795.5K
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
SJ/T 2658.4-2015
2019-08-30
720.54K
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流
SJ/T 2658.3-2015
2019-08-30
886.06K
半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
SJ/T 2658.2-2015
2019-08-30
699.18K
半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
SJ/T 2658.1-2015
2019-08-30
810.72K
通信设备安装工程抗震设计标准[附条文说明]
GB/T 51369-2019
2019-08-29
8.68M
