附录D。雷击磁场强度的计算方法D、1、建筑物附近雷击的情况下防雷区内磁场强度的计算D 1.1.无屏蔽时所产生的磁场强度H0 即LPZ0区内的磁场强度。应按公式，D，1，1，计算。式中.i0，雷电流,A,Sa.从雷击点到屏蔽空间中心的距离、m 图D。1.1。图D 1，1。邻近雷击时磁场值的估算D。1,2、当建筑物邻近雷击时。格栅型空间屏蔽内部任意点的磁场强度应按下列公式进行计算 式中.H0 无屏蔽时的磁场强度 A、m、Hn.Hn、1、分别为LPZn和LPZn 1区内的磁场强度 A,m，SF 按表D 1,3的公式计算的屏蔽系数.dB。这些磁场值仅在格栅型屏蔽内部与屏蔽体有一安全距离为,ds，1的安全空间内有效.安全距离可按下列公式计算、式中，SF 按表D.1.3的公式计算的屏蔽系数，dB、w.空间屏蔽网格宽度，m，D 1.3。格栅形大空间屏蔽的屏蔽系数SF.按表D、1.3的公式计算，表D 1、3.格栅型空间屏蔽对平面波磁场的衰减，注、1 适用于首次雷击的磁场 2,适用于后续雷击的磁场,3。磁导率μr,200。4.公式计算结果为负数时,SF,0。5.如果建筑物安装有网状等电位连接网络时,SF增加6dB。6,w是格栅型空间屏蔽网格宽度，m。r是格栅型屏蔽杆的半径。m、